[发明专利]声波谐振器

权利要求书

1.一种声波谐振器，所述声波谐振器包括：

基板；

绝缘层，设置在所述基板上；

谐振部，设置在所述绝缘层上并且包括堆叠在所述绝缘层上的第一电极、压电层和第二电极；

腔，设置在所述绝缘层和所述谐振部之间；

突起部，包括设置在所述腔的下表面上的多个突起；以及

疏水层，设置在所述腔的上表面和所述突起部的表面上。

2.根据权利要求1所述的声波谐振器，其中，所述突起部设置在所述腔的所述下表面的中央区域中。

3.根据权利要求2所述的声波谐振器，其中，所述突起部具有与所述腔的所述下表面相对应的形状。

4.根据权利要求1所述的声波谐振器，其中，由所述腔的所述下表面上的所述突起部占据的面积为所述腔的所述下表面的面积的40％或更大，并且

所述多个突起之间的间隔为2μm至20μm。

5.根据权利要求1所述的声波谐振器，其中，所述突起的宽度为5μm或更小。

6.根据权利要求1所述的声波谐振器，其中，所述突起的高度为所述腔的厚度的10％至90％。

7.根据权利要求1所述的声波谐振器，其中，所述突起具有圆柱形状、多棱柱形状、截头圆锥形状或截头多棱锥形状中的一种或更多种。

8.根据权利要求1所述的声波谐振器，其中，所述突起具有湿蚀刻形成的圆柱形状。

9.根据权利要求1所述的声波谐振器，其中，所述突起具有干蚀刻形成的截头圆锥形状。

10.根据权利要求1所述的声波谐振器，其中，所述谐振部具有小于1μm的厚度。

11.根据权利要求1所述的声波谐振器，其中，附加的疏水层设置在所述腔的所述下表面的除所述突起部之外的部分以及所述腔的侧表面上。

12.根据权利要求1所述的声波谐振器，其中，所述疏水层为单层或自组装单层。

13.根据权利要求1所述的声波谐振器，其中，所述疏水层包括氟成分。

14.根据权利要求13所述的声波谐振器，其中，所述疏水层还包括硅成分。

15.根据权利要求1所述的声波谐振器，

其中，所述谐振部包括：

中央区域；以及

延伸区域，在所述延伸区域中插入层设置在所述压电层下方，所述延伸区域从所述中央区域沿向外方向延伸，并且

其中，所述压电层包括：

压电部，设置在所述中央区域中；以及

弯曲部，设置在所述延伸区域中并且沿着所述插入层的形状在所述延伸区域中倾斜地延伸。

16.一种声波谐振器，所述声波谐振器包括：

基板；

绝缘层，设置在所述基板上；

谐振部，设置在所述绝缘层上并且包括堆叠在所述绝缘层上的第一电极、压电层和第二电极；

腔，设置在所述绝缘层与所述谐振部之间；以及

突起部，包括设置在所述腔的下表面上的多个突起，

其中，由所述腔的所述下表面上的所述突起部占据的面积为所述腔的所述下表面的面积的40％或更大，并且

其中，所述多个突起之间的间隔为2μm至20μm。

17.根据权利要求16所述的声波谐振器，其中，所述突起部设置在所述腔的所述下表面的中央区域中。