[发明专利]磁存储器件

权利要求书

1.一种磁存储器件，包括：

基板上的磁隧道结图案；

导线，在所述基板与所述磁隧道结图案之间延伸，并与所述磁隧道结图案的底表面接触，其中，所述导线具有第一晶格常数；以及

底部图案，位于所述导线与所述基板之间并与所述导线的底表面接触，其中，所述底部图案具有第二晶格常数，所述第二晶格常数小于所述导线的第一晶格常数。

2.根据权利要求1所述的磁存储器件，其中，所述底部图案的侧壁与所述导线的侧壁相对于高度轴对齐。

3.根据权利要求1所述的磁存储器件，其中，所述底部图案沿高度轴的厚度小于所述导线沿所述高度轴的厚度。

4.根据权利要求3所述的磁存储器件，其中，所述导线沿所述高度轴的厚度是所述底部图案沿所述高度轴的厚度的至少两倍。

5.根据权利要求1所述的磁存储器件，其中，所述底部图案的电阻率大于所述导线的电阻率。

6.根据权利要求1所述的磁存储器件，其中，所述底部图案包括金属氮化物。

7.根据权利要求6所述的磁存储器件，其中，所述底部图案的氮含量高于所述底部图案的金属元素含量。

8.根据权利要求1所述的磁存储器件，其中，所述底部图案包括：

第一底部图案；以及

所述第一底部图案下方的第二底部图案。

9.根据权利要求8所述的磁存储器件，其中，

所述第一底部图案是金属氮化物层，以及

所述第二底部图案是金属层。

10.根据权利要求9所述的磁存储器件，其中，所述第二底部图案沿高度轴的厚度小于所述第一底部图案沿所述高度轴的厚度。

11.根据权利要求8所述的磁存储器件，其中，所述底部图案包括所述第二底部图案下方的第三底部图案。

12.根据权利要求11所述的磁存储器件，其中，所述第三底部图案沿高度轴的厚度大于所述第一底部图案沿所述高度轴的厚度。

13.根据权利要求11所述的磁存储器件，其中，所述第三底部图案包括具有阶梯形状的侧壁。

14.根据权利要求1所述的磁存储器件，其中，所述导线被配置为向所述磁隧道结图案施加自旋轨道转矩。

15.根据权利要求1所述的磁存储器件，其中，

所述磁隧道结图案包括沿高度轴顺序地堆叠的一组层，其中，所述一组层包括：

自由层；

隧道势垒图案；以及

参考层，以及

其中，所述自由层位于所述隧道势垒图案与所述导线之间。

16.一种磁存储器件，包括：

基板上的磁隧道结图案；

导线，在所述基板与所述磁隧道结图案之间延伸，并与所述磁隧道结图案的底表面接触；以及

底部图案，位于所述导线与所述基板之间，并与所述导线的底表面接触，

其中，所述底部图案包括金属氮化物，以及

其中，所述底部图案的氮含量高于所述底部图案的金属元素含量。

17.根据权利要求16所述的磁存储器件，其中，所述底部图案被配置为向所述导线施加压缩应力。

18.根据权利要求16所述的磁存储器件，其中，所述氮含量与所述金属元素含量的比在1.0与1.3之间。