[发明专利]基于1/f噪声参数对MOS晶体管热载流子注入效应的提取方法

权利要求书

1.基于1/f噪声参数对MOS晶体管热载流子注入效应的提取方法，其特征在于，包括以下步骤：

获取选用MOS晶体管基本电参数，确定施加射频应力和直流应力的条件；

不同栅极电压条件下测试1/f噪声参数,获得不同栅极电压条件下测试1/f噪声参数变化的曲线；

按上述施加射频应力和直流应力的条件，对MOS晶体管施加射频应力和直流应力加速试验，进行热载流子注入试验，定时采集晶体管的测试数据，得到噪声电流的功率谱密度随频率变化的曲线；

将测试1/f噪声的频率范围分为低频段、中频段和高频段，分别在各频段提取1/f噪声参数，得到不同应力时间噪声电流功率谱密度随频率变化的曲线、噪声电流功率谱密度随应力时间的退化曲线，以实现分别对热载流子注入效应进行分析；

在上述的三个频段中，每个频段分别选取至少5个频率点，提取在相同应力时间下，射频应力和直流应力加速退化实验后噪声电流功率谱密度随栅极电压变化的曲线，以实现在不同频段和不同栅极电压下，通过分析1/f噪声电流功率密度的大小，提取在MOS晶体管栅氧化层产生的氧化物陷阱密度和界面陷阱密度。

2.根据权利要求1所述基于1/f噪声参数对MOS晶体管热载流子注入效应的提取方法，其特征在于，MOS晶体管基本电参数包括直流参数以及射频参数，直流参数包括漏极击穿电压、阈值电压、输出特性曲线、衬底电流，射频参数包括S参数。

3.根据权利要求1所述基于1/f噪声参数对MOS晶体管热载流子注入效应的提取方法，其特征在于，通过半导体分析仪、矢量网络分析仪、探针台，测量MOS晶体管的基本参数。

4.根据权利要求2所述基于1/f噪声参数对MOS晶体管热载流子注入效应的提取方法，其特征在于，确定直流应力电压的漏极应力最大值为漏极击穿电压的90％，栅极应力电压取值在阈值电压到与漏极应力电压相等的范围内。

5.根据权利要求1所述基于1/f噪声参数对MOS晶体管热载流子注入效应的提取方法，其特征在于，直流应力条件包含最大衬底电流应力和高栅极电压偏置应力。