[发明专利]量子级联激光器

说明书

一种量子级联激光器，包括：激光器结构，具有包括第一端面的第一区域、包括第二端面的第二区域、外延表面和衬底表面；绝缘膜，被布置在第二端面和外延表面上；电极，被布置在外延表面和绝缘膜上并与外延表面接触；以及金属膜，被布置在第二端面和外延表面上并与电极和衬底表面分离。绝缘膜被布置在金属膜和第二端面之间以及金属膜和外延表面之间。第二区域包括半导体台面。第二端面位于第一区域和第二区域之间的边界处。第一区域包括连接表面。连接表面将第二端面连接到第一端面。

技术领域

本发明涉及量子级联激光器。

背景技术

Applied Physics Letters(应用物理快报)，vol.89,251119,2006公开一种能够发射中红外光的量子级联激光器。

量子级联激光器包括发射端面(facet)和反射端面，并且在反射端面上具有反射膜以实现高反射率。反射膜被如下产生。激光条由具有在其上形成的阳极和阴极的成品衬底产品制成。激光条包括用于半导体激光器的一维分段阵列，并具有用于发射的端面和反射端面。通过将包含反射膜的组成原子的流体(flux)供应到激光条的一个端面来形成反射膜。具体地，在量子级联激光器的反射端面上形成金属膜以实现更高的反射率。

在通过沉积在激光条的端面上形成反射膜的工艺中，未达到激光条的端面的任何流体在激光条的上表面和下表面上形成沉积物。这种制造方法使其难以控制激光条的上表面和下表面上的沉积物的厚度。量子级联激光器所需要的是要消除控制沉积物厚度的困难。

发明内容

本发明的一个方面的目的是要提供一种量子级联激光器，其具有能够避免通过在激光条上沉积形成反射金属膜同时允许金属膜被布置在反射端面上的结构。

根据本发明的一个方面的量子级联激光器包括激光器结构，该激光器结构具有包括第一端面的第一区域、包括第二端面的第二区域、外延表面和衬底表面；绝缘膜，该绝缘膜被布置在激光器结构的第二端面和外延表面上；电极，该电极被布置在激光器结构的外延表面和绝缘膜上并通过绝缘膜中的开口与外延表面接触；以及金属膜，该金属膜被布置在激光器结构的第二端面和外延表面的上方并与电极和衬底表面分开。绝缘膜被布置在金属膜和第二端面之间以及金属膜和外延表面之间。外延表面与衬底表面相反。第一区域和第二区域在第一轴的方向上排列。第二区域包括半导体台面，该半导体台面具有在第一轴的方向上延伸的芯层。第二端面位于第一区域和第二区域之间的边界处。第二端面终止半导体台面。第一区域包括在第一轴的方向上延伸的连接表面。连接表面将第二端面连接到第一端面。

通过下面结合附图对本发明优选实施例的详细描述，本发明的上述和其他目的、特征和优点将变得更加显而易见。

附图说明

图1的A至D是根据一个实施例的量子级联激光器的示意性平面图。

图2A至2D是沿着图1的A中的线II-II截取的截面图。

图3A是沿着图1的A中的线IIIa-IIIa截取的截面图。

图3B是沿着图1的A中的线IIIb-IIIb截取的截面图。

图3C是沿着图1的A中的线IIIc-IIIc截取的截面图。

图3D是沿着图1的A中的线IIId-IIId截取的截面图。

图4A是沿着图1的B中的线IVa-IVa截取的截面图。

图4B是沿着图1的B和图1的C中的线IVb-IVb截取的截面图。

图4C是沿着图1的D中的线IVc-IVc截取的截面图。

图4D是沿着图1的D中的线IVd-IVd截取的截面图。

图5A是沿着图1的A至图1的C中的线Va-Va截取的截面图。