[发明专利]用于测量SSD单次进入PS4状态时所造成的NAND FLASH写入量的方法

说明书

本发明公开了用于测量SSD单次进入PS4状态时所造成的NAND FLASH写入量的方法，包括：步骤S1，将待测的SSD与笔记本电脑连接；步骤S2，采用AC供电使所述笔记本电脑的电池电量充满；步骤S3，利用数据读取工具读取所述SSD此时已进入的PS4状态的次数和NAND FLASH的写入量；步骤S4，断开所述笔记本电脑的AC供电电源；步骤S5，对所述笔记本电脑采用DC供电，让所述笔记本电脑处于空闲状态至电量耗尽；步骤S6，所述笔记本电脑重新连上AC供电电源开机；步骤S7，再次利用所述数据读取工具读取所述SSD此时已进入PS4状态的次数和NAND FLASH的写入量；步骤S8，将步骤S3、S7获得的NAND FLASH写入量之差除以两次进入PS4状态次数之差，得到所述SSD单次进入PS4状态时所引入的NAND FLASH写入量。

技术领域

本发明涉及固态硬盘存储技术领域，尤其涉及一种用于测量SSD单次进入PS4状态时所造成的NAND FLASH写入量的方法。

背景技术

目前，笔记本电脑上的PCIe NVMe固态硬盘(Solid State Drive，SSD)几乎都支持SSD进入PS4低功耗特性，当SSD进入PS4状态时，SSD可使DDR和NAND FLASH处于掉电状态。采用这种PS4低功耗方案的优点是可大幅度降低SSD在空闲时的功耗，从而有利于增强诸如笔记本电脑的电池续航能力；但缺点是，由于SSD上的DDR在掉电前会把其数据保存到NANDFLASH中，对于NAND FLASH而言，这无疑会带来额外的写入量，造成NAND FLASH的可编程/擦除(Program/Erase，简称P/E)次数的损耗，从而减少SSD的寿命，若SSD固件设计存在严重缺陷，则有可能在SSD每次进入PS4时，都因DDR的掉电而造成非常高的额外P/E损耗，从而大大缩短SSD的使用寿命。

因此，SSD厂商在对采用上述PS4方案的SSD产品进行内部测试时，通常会关注SSD单次进入PS4时所带了的额外的写入量，而测量方法往往是利用Ulink公司的DriveMaster软件编写测试脚本来模拟SSD在实际应用场景下，单次进入PS4时的写入量。然而，这种测试方法存在以下缺点：

1)需要购买Ulink公司的DriveMaster软件，这无疑大大增加了SSD的开发成本；

2)对于无DriveMaster脚本开发经验的测试工程师而言，需要大量的时间学习该脚本的编写，这不利于提高测试效率和及时测出SSD潜在的设计缺陷；

3)当使用DriveMaster软件测试采用上述方案的PS4特性时，该测试环境往往需要独立于SSD真实的应用场景，因此使用DriveMaster软件有可能难以提前暴露SSD在实际应用环境下的设计缺陷。

公开于该背景技术部分的信息仅仅旨在加深对本发明的总体背景技术的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域技术人员所公知的现有技术。

基于上述原因本发明提出了一种用于测量SSD单次进入PS4状态时所造成的NANDFLASH写入量的方法。

发明内容

为了满足上述要求，本发明的目的在于提供一种用于测量SSD单次进入PS4状态时所造成的NAND FLASH写入量的方法。

为了实现上述目的，本发明采用以下技术方案：

用于测量SSD单次进入PS4状态时所造成的NAND FLASH写入量的方法，包括以下步骤：

步骤S1，将待测的SSD与笔记本电脑连接；

步骤S2，采用AC供电使所述笔记本电脑的电池电量充满；

步骤S3，利用数据读取工具读取所述SSD此时已进入的PS4状态的次数和NANDFLASH的写入量；

步骤S4，断开所述笔记本电脑的AC供电电源；