[发明专利]一种硅通孔互连结构的制备方法在审
| 申请号： | 201910933910.8 | 申请日： | 2019-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN110648963A | 公开（公告）日： | 2020-01-03 |
| 发明（设计）人： | 曹立强;刘道祥;孙鹏 | 申请（专利权）人： | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/48 |
| 代理公司： | 11250 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李静 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市新*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 互联结构 硅通孔 键合 制备 偏移 承载片 堆叠件 填充 填充物 互连结构 接触阻抗 绝缘处理 器件制备 致密材料 烧结 断路 平坦化 布线 侧壁 导通 叠件 堆叠 刻蚀 链接 通孔 植球 去除 成型 互联 | ||
1.一种硅通孔互连结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤，
键合若干器件，形成一堆叠件，并在所述堆叠件的底部键合承载片；
刻蚀所述堆叠件形成若干硅孔，并对所述硅孔的侧壁进行绝缘处理；
填充所述硅孔，并烧结填充物形成致密材料；
依次进行平坦化、布线植球，最后解键合去除所述承载片，形成硅通孔互联结构。
2.根据权利要求1所述的硅通孔互连结构的制备方法，其特征在于，所述烧结的温度为230-250℃，烧结时间为5-60min。
3.根据权利要求1或2所述的硅通孔互连结构的制备方法，其特征在于，所述填充的方法为喷墨打印填充技术。
4.根据权利要求1-3任一项所述的硅通孔互连结构的制备方法，其特征在于，填充所述硅孔时，所述硅孔的温度为120-170℃。
5.根据权利要求1-4任一项所述的硅通孔互连结构的制备方法，其特征在于，填充所述硅孔的材料的电阻率为(1.6-1.8)×10-8Ω·m。
6.根据权利要求5所述的硅通孔互连结构的制备方法，其特征在于，所述材料为铜/石墨烯纳米颗粒、金纳米颗粒、银纳米颗粒、铜纳米颗粒中的至少一种。
7.根据权利要求1-6任一项所述的硅通孔互连结构的制备方法，其特征在于，对所述硅孔的侧壁进行绝缘处理的步骤包括采用气相沉积技术对所述硅孔进行绝缘处理，然后除去所述硅孔底部的绝缘层。
8.根据权利要求1-7任一项所述的硅通孔互连结构的制备方法，其特征在于，所述硅孔的孔径不小于5μm。
9.根据权利要求1-8任一项所述的硅通孔互连结构的制备方法，其特征在于，所述填充的具体步骤包括，对单个硅孔完全填充后转移至下一个硅孔进行填充直至所有硅孔被完全填充；或，
对各个硅孔进行循环填充直至所有硅孔被完全填充。
10.根据权利要求9所述的硅通孔互连结构的制备方法，其特征在于，填充步骤为对单个硅孔完全填充后转移至下一个硅孔进行填充直至所有硅孔被完全填充时，填充之间的时间间隔为0.4-0.6s。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
