[发明专利]通过PEALD使用氮气沉积氧化物膜的方法

权利要求书

1.一种将氧化物膜沉积在模板上以在半导体制造中图案化的方法，其包含以下步骤：

(i)在反应空间中提供其上具有图案化结构的模板；和

(ii)使用氮气作为运载气体并且还作为稀释气体，通过等离子体增强原子层沉积(PEALD)将氧化物膜沉积在所述模板上，由此用所述氧化物膜完全覆盖所述模板和所述图案化结构的暴露顶表面。

2.根据权利要求1所述的方法，其在步骤(ii)之后进一步包含以下步骤：

(iii)蚀刻所述氧化物膜覆盖的模板以去除所述氧化物膜和所述图案化结构的非所需部分，以形成用于基于间隔物的图案化的彼此分离的竖直间隔物。

3.根据权利要求1所述的方法，其中在步骤(ii)中，所述运载气体和所述稀释气体基本上由氮气组成。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述运载气体和所述稀释气体各自在整个步骤(ii)中以0.5至5slm的流动速率连续供应至所述反应空间。

5.根据权利要求1所述的方法，其中在步骤(ii)期间，基本上没有稀有气体供应至所述反应空间。

6.根据权利要求1所述的方法，其中在步骤(ii)中使用的氧化气体是选自由以下组成的群组的一种或多种气体：O₂、N₂O、NO、NO₂、CO和CO₂。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述氧化气体在整个步骤(ii)中以10sccm至1000sccm的流动速率连续供应至所述反应空间。

8.根据权利要求1所述的方法，其中步骤(ii)中使用的氧化气体的流动速率与步骤(ii)中使用的所述运载气体/稀释气体的流动速率的比为约4/100至约30/100。

9.根据权利要求1所述的方法，其中在步骤(ii)中使用的PEALD循环中，向所述反应空间施加RF功率的持续时间为1.0秒或更短。

10.根据权利要求1所述的方法，其中在步骤(ii)中使用的PEALD循环中，向所述反应空间施加的RF功率为其上形成所述模板的衬底的每面积0.14W/cm²或更小。

11.根据权利要求1所述的方法，其中步骤(ii)中使用的前体含有硅或金属。

12.根据权利要求11所述的方法，其中步骤(ii)中形成的所述氧化物膜由氧化硅或金属氧化物构成。

13.根据权利要求1所述的方法，其中所述图案化结构由聚合物抗蚀剂和/或碳硬掩模构成。

14.根据权利要求1所述的方法，其中所述图案化结构由有机材料构成。

15.根据权利要求2所述的方法，其中所述基于间隔物的图案化为间隔物界定双重图案化。