[发明专利]一种高磁导率高频率平面电感及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201910934819.8 申请日: 2019-09-29
公开(公告)号: CN110660554A 公开(公告)日: 2020-01-07
发明(设计)人: 赵磊;张晓渝;章强;邢园园;马春兰 申请(专利权)人: 苏州科技大学
主分类号: H01F1/147 分类号: H01F1/147;H01F27/245;H01F27/28;H01F41/02;H01F41/04
代理公司: 32276 苏州根号专利代理事务所(普通合伙) 代理人: 项丽
地址: 215009 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 平面电感 软磁薄膜 高频电子器件 薄膜应用 材料技术 高磁导率 软磁性能 集成度 磁导率 高频率 体积小 重量轻 式中 制备
【权利要求书】:

1.一种高磁导率高频率平面电感的制备方法,所述高磁导率高频率平面电感为软磁薄膜,其化学组分通式如式(Ι)所示,

FexNyHfz (Ι);

式中,x为0.7,y为0.1,z为0.2

,其特征在于,它包括以下步骤:

(a)在超净间清洗介质基片;

(b)采用紫外曝光光刻工艺,以光刻胶为掩膜,在介质基片表面刻蚀出电感单元阵列,裂片;

(c)采用磁控溅射工艺在步骤(b)的产品表面上进行沉积,形成软磁薄膜层;所述磁控溅射工艺采用高真空磁控溅射设备,沉积真空本底抽至1×10-5 Pa以下,靶材选用99.99%纯度的铁靶,铁靶表面上均匀放置多个Hf金属片;沉积起辉时采用Ar气,沉积气体为N2,N2占使用气体体积的5~10%;

(d)将步骤(c)的产品浸入剥离液中,进行剥离得形成在所述介质基片表面的所述高磁导率高频率平面电感。

2.根据权利要求1所述的高磁导率高频率平面电感的制备方法,其特征在于:它沉积在介质基片的任一表面上,所述介质基片的材质为玻璃、石英或高阻硅,所述高阻硅的电阻率高于10k Ω·cm。

3.根据权利要求1所述的高磁导率高频率平面电感的制备方法,其特征在于:它的厚度为40~80nm。

4.根据权利要求1所述的高磁导率高频率平面电感的制备方法,其特征在于:它的磁导率在0.8 GHz频段上高于400,共振频率高于2.9 GHz。

5.根据权利要求1所述的高磁导率高频率平面电感的制备方法,其特征在于:它为平面螺旋型,其线宽为10~50 μm、导线间距为10~100 μm、总的电感长度为0.1~1 mm。

6.根据权利要求1所述的高磁导率高频率平面电感的制备方法,其特征在于:它的平面电感为5~500 nH。

7.根据权利要求1所述高磁导率高频率平面电感的制备方法,其特征在于:步骤(c)中,以Hf金属片的数量控制软磁薄膜中Hf的原子百分比,通过XSP或EDAX能谱测试并确定各原子组分比。

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