[发明专利]一种用于半导体芯片散热的高导热纳米硅脂

权利要求书

1.一种用于半导体芯片散热的高导热纳米硅脂，由硅油和导热填料组成，其特征在于，所述硅油和所述导热填料的体积比为硅油30％-70％，导热填料30％-70％，所述体积百分比以所述硅脂的总体积为基础；

所述硅油选自二甲基硅油、环氧改性硅油、乙烯基硅油、苯甲基硅油、羟基硅油、甲基长链烷基硅油中的至少一种；

所述导热填料由氮化铝、改性氧化石墨烯、纳米银粒子、纳米氧化锌、鳞片状高导热碳粉和多壁碳纳米管组成。

2.根据权利要求1所述的一种用于半导体芯片散热的高导热纳米硅脂，其特征在于，所述硅油和所述导热填料的体积比为1:1。

3.根据权利要求1所述的一种用于半导体芯片散热的高导热纳米硅脂，其特征在于，所述硅油选自二甲基硅油和环氧改性硅油，所述二甲基硅油和环氧改性硅油的体积比为1:1。

4.根据权利要求1所述的一种用于半导体芯片散热的高导热纳米硅脂，其特征在于，所述导热填料按质量百分比由以下成分组成：

改性氧化石墨烯 5-10%

纳米银粒子 4-7%

纳米氧化锌 4-6%

鳞片状高导热碳粉 2-4%

多壁碳纳米管 1-2%

氮化铝 71-84%。

5.根据权利要求4所述的一种用于半导体芯片散热的高导热纳米硅脂，其特征在于，所述导热填料按质量百分比由以下成分组成：

改性氧化石墨烯 7.5%

纳米银粒子 5.5%

纳米氧化锌 5%

鳞片状高导热碳粉 3%

多壁碳纳米管 1.5%

氮化铝 77.5%。

6.根据权利要求1所述的一种用于半导体芯片散热的高导热纳米硅脂，其特征在于，所述改性氧化石墨烯为经过(3-氨基丙基)三乙氧基硅烷改性后的氧化石墨烯。

7.根据权利要求1所述的一种用于半导体芯片散热的高导热纳米硅脂，其特征在于，所述纳米银粒子的平均粒径为50-100纳米；所述纳米氧化锌的平均粒径为50-150纳米。

8.根据权利要求1所述的一种用于半导体芯片散热的高导热纳米硅脂，其特征在于，所述鳞片状高导热碳粉的纯度大于99%。

9.根据权利要求1所述的一种用于半导体芯片散热的高导热纳米硅脂，其特征在于，所述多壁碳纳米管的平均外径为50-100纳米。

10.权利要求1-9任一项所述的用于半导体芯片散热的高导热纳米硅脂的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

（1）将改性氧化石墨烯、氮化铝按配比进行混合后加入少量硅油中预混合；

（2）在50℃，机械搅拌条件下，缓慢加入配方量的纳米银粒子、纳米氧化锌、鳞片状高导热碳粉和多壁碳纳米管，同时补充硅油至所需的量；

（3）对上述混合物进行精细研磨，获得所述高导热纳米硅脂。