[发明专利]半导体器件及其制作方法有效
| 申请号： | 201910935220.6 | 申请日： | 2019-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN110534414B | 公开（公告）日： | 2022-05-31 |
| 发明（设计）人： | 黄胜男;曹开玮;李赟 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/285 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制作方法 | ||
1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：
提供一衬底，所述衬底上形成有结构层，所述结构层中形成有暴露出所述衬底的沟槽；
在所述结构层表面和所述沟槽表面依次形成金属层和金属氮化物层，高温退火使部分所述金属层反应生成金属硅化物层；
通入SC1和热硫酸去除所述金属氮化物层和未反应的所述金属层，所述沟槽的侧壁附带产生颗粒，所述颗粒的表面形成有氧化层；
使用HF清洗所述沟槽，以去除所述颗粒和所述氧化层；以及，
使用SC1清洗所述沟槽，以全部去除所述颗粒。
2.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述HF的PH值大于5。
3.如权利要求2所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，使用HF清洗所述沟槽的步骤中：所述HF的浓度范围为0.5～3.0％，清洗温度范围为：10～30℃，清洗时间范围为：60～180s。
4.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述退火的温度范围为470℃～500℃，所述退火的时间范围为20s～40s。
5.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述沟槽的侧壁形成有第一介质层，位于所述沟槽的侧壁的所述金属层覆盖所述第一介质层。
6.如权利要求5所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，位于所述沟槽的侧壁的所述金属层未反应，位于所述沟槽底部的所述金属层和位于所述结构层上表面的所述金属层反应生成金属硅化物层。
7.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述SC1包括体积比为1:1:5的NH4OH:H2O2:H2O混合溶液。
8.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述金属层的材质包括：钴、钨、钛、镍中的任意一种。
9.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述半导体器件为闪存，所述结构层关于所述沟槽对称分布，所述结构层包括：位于所述衬底上依次分布的隧穿氧化层、浮栅、第二介质层和控制栅。
10.一种半导体器件，其特征在于，通过如权利要求1至9任意一项所述的制作方法制备而成。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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