[发明专利]一种梯形多缝隙分形分裂生长式阵列天线

权利要求书

1.一种梯形多缝隙分形分裂生长式阵列天线，其特征在于，包括基板、贴覆在基板背面的天线接地板和贴覆在基板正面的梯形多缝隙分形分裂生长式阵列辐射贴片，所述梯形多缝隙分形分裂生长式阵列辐射贴片是由144个梯形多缝隙分形天线按照分裂生长式阵列结构排列组成的天线阵列；

其中，每个梯形多缝隙分形天线是在尺寸为2.0 mm±0.1 mm×2.0 mm±0.1 mm的矩形区域进行梯形多缝隙分形迭代而得到；

其中，所述分裂生长式阵列结构是2阶分裂生长式阵列结构，是在一个由20行20列共400个方形区域组成的矩形区域中，在第1行的第10列、第11列，第2行的第10列、第11列，第3行的第9列、第10列、第11列、第12列，第4行的第7列、第8列、第9列、第12列、第13列、第14列，第5行的第7列、第8列、第9列、第12列、第13列、第14列，第6行的第9列、第10列、第11列、第12列，第7行的第4列、第5列、第7列、第8列、第9列、第10列、第11列、第12列、第13列、第14列、第16列、第17列，第8行的第4列、第5列、第7列、第8列、第9列、第10列、第11列、第12列、第13列、第14列、第16列、第17列，第9行的第3列、第4列、第5列、第6列、第7列、第8列、第13列、第14列、第15列、第16列、第17列、第18列，第10行的第1列、第2列、第3列、第6列、第7列、第8列、第13列、第14列、第15列、第18列、第19列、第20列，第11行的第1列、第2列、第3列、第6列、第7列、第8列、第13列、第14列、第15列、第18列、第19列、第20列，第12行的第3列、第4列、第5列、第6列、第7列、第8列、第13列、第14列、第15列、第16列、第17列、第18列，第13行的第4列、第5列、第7列、第8列、第9列、第10列、第11列、第12列、第13列、第14列、第16列、第17列，第14行的第4列、第5列、第7列、第8列、第9列、第10列、第11列、第12列、第13列、第14列、第16列、第17列，第15行的第9列、第10列、第11列、第12列，第16行的第7列、第8列、第9列、第12列、第13列、第14列，第17行的第7列、第8列、第9列、第12列、第13列、第14列，第18行的第9列、第10列、第11列、第12列，第19行的第10列、第11列，第20行的第10列、第11列，共144个方形区域放置阵元天线；

其中，每个梯形多缝隙分形天线使用至少2阶的梯形多缝隙分形结构。

2.根据权利要求1所述的一种梯形多缝隙分形分裂生长式阵列天线，其特征在于，所述天线接地板为全导电接地结构。

3.根据权利要求1所述的一种梯形多缝隙分形分裂生长式阵列天线，其特征在于，每个梯形多缝隙分形天线的底部边沿中心处设有天线馈电点。

4.根据权利要求1所述的一种梯形多缝隙分形分裂生长式阵列天线，其特征在于，所述梯形多缝隙分形分裂生长式阵列辐射贴片使用分裂生长式阵列结构作为基本阵列排布结构，在分裂生长式阵列结构的每个大小为2.4 mm±0.1 mm×2.4 mm±0.1 mm的阵元天线区域中心，放置一个梯形多缝隙分形天线。

5.根据权利要求1-4任一项所述的一种梯形多缝隙分形分裂生长式阵列天线，其特征在于，所述基板为低损耗环氧树脂玻璃布基板，其相对介电常数为5.5-6.5。

6.根据权利要求1-4任一项所述的一种梯形多缝隙分形分裂生长式阵列天线，其特征在于，所述基板的形状为矩形，尺寸是48 mm±0.1 mm×48 mm±0.1 mm，厚度为1 mm±0.1mm。

7.根据权利要求1-4任一项所述的一种梯形多缝隙分形分裂生长式阵列天线，其特征在于，所述辐射贴片和天线接地板的材质为铜、银、金或铝。