[发明专利]GaN功率放大器的电源时序控制电路及方法

权利要求书

1.一种GaN功率放大器的电源时序控制电路，其特征在于，包括栅极电压产生电路；

所述栅极电压产生电路包括负压产生电路、正压产生电路、数模转换器、TDD切换电路和运算放大器加法器；

所述TDD切换电路用于控制所述数模转换器与所述运算放大器加法器之间的连接状态；

所述运算放大器加法器与所述GaN功率放大器的栅极连接；

所述负压产生电路，用于产生为所述GaN功率放大器的栅极供电所需要的负电压；

所述正压产生电路，用于产生稳定的正电压；

所述栅极电压产生电路还包括：

低压差线性稳压器，用于控制所述数模转换器输出的模拟电压在所述负压产生电路产生负电压之后上电。

2.根据权利要求1所述的GaN功率放大器的电源时序控制电路，其特征在于，还包括漏极电压产生电路；

所述漏极电压产生电路包括逻辑处理和缓启电路和漏极电压驱动电路；所述漏极电压驱动电路与所述GaN功率放大器的漏极连接；

所述逻辑处理和缓启电路，用于根据负电压指示信号和正电压指示信号，生成输出指示信号；

所述输出指示信号，用于驱动所述漏极电压驱动电路产生所述GaN功率放大器的漏极电压。

3.根据权利要求1所述的GaN功率放大器的电源时序控制电路，其特征在于，所述运算放大器加法器为单路或多路运算放大器。

4.根据权利要求2所述的GaN功率放大器的电源时序控制电路，其特征在于，所述逻辑处理和缓启电路包括MAX881REUB芯片。

5.根据权利要求2所述的GaN功率放大器的电源时序控制电路，其特征在于，所述漏极电压驱动电路包括双极性晶体管和NMOS管。

6.一种GaN功率放大器的电源时序控制方法，其特征在于，包括：

若TDD切换电路为第一状态，则将数模转换器输出的模拟电压输入运算放大器加法器；

所述运算放大器加法器将负压产生电路产生的负电压与所述模拟电压相加，为所述GaN功率放大器的栅极供电；

其中，所述负压产生电路产生的负电压的绝对值大于所述模拟电压；

所述方法还包括：

若所述TDD切换电路为第二状态，则不将所述模拟电压输入所述运算放大器加法器；

所述运算放大器加法器将所述负压产生电路产生的负电压为所述GaN功率放大器的栅极供电；

所述若TDD切换电路为第一状态，则将数模转换器输出的模拟电压输入运算放大器加法器之前，还包括：

所述负压产生电路产生负电压；

低压差线性稳压器若判断获知所述负压产生电路产生负电压，则生成和负电压指示信号；

正压产生电路根据所述负电压指示信号，产生正电压；

所述数模转换器根据所述正压产生电路产生的正电压，输出模拟电压。

7.根据权利要求6所述的GaN功率放大器的电源时序控制方法，其特征在于，所述正压产生电路根据所述负电压指示信号，产生正电压之后，还包括：

漏极电压产生电路接收所述负电压指示信号和正电压指示信号，产生所述GaN功率放大器的漏极电压。