[发明专利]基板处理方法及基板处理装置在审
申请号: | 201910936715.0 | 申请日: | 2019-09-29 |
公开(公告)号: | CN111009477A | 公开(公告)日: | 2020-04-14 |
发明(设计)人: | 犹原英司;冲田有史;角间央章;増井达哉 | 申请(专利权)人: | 株式会社斯库林集团 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/677;H01L21/68;H01L21/027 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 马爽;臧建明 |
地址: | 日本京都府京都市上京区堀川通寺之内上4*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 方法 装置 | ||
本发明提供一种可对喷出至基板的端部的液柱状的处理液进行拍摄的基板处理方法及基板处理装置。基板处理方法包括:保持工序、旋转工序、上升工序、斜面处理工序、摄像工序以及监视工序。在上升工序中,使包围基板保持部的外周的杯状构件上升,并使杯状构件的上端位于较保持于基板保持部的基板的上表面而言更高的上端位置。在斜面处理工序中,自位于较上端位置而言更低的位置的喷嘴的喷出口向保持于基板保持部的基板的上表面的端部喷出处理液。在摄像工序中,使照相机对作为包含自喷嘴的喷出口喷出的处理液的摄像区域且自基板的上方的摄像位置看到的摄像区域进行拍摄,来取得摄像图像。在监视工序中,基于摄像图像判定处理液的喷出状态。
技术领域
本发明涉及一种基板处理方法及基板处理装置。
背景技术
作为对基板进行处理的装置,使用一边使基板在水平面内旋转,一边自喷出喷嘴向所述基板的表面喷出处理液的基板处理装置。自喷出喷嘴着落于基板的大致中央处的处理液利用伴随基板的旋转的离心力而在整个面扩散,并自基板周缘向外侧飞散。通过处理液在基板的整个面扩散,而可使处理液作用于基板的整个面。作为处理液,采用与对于基板的处理相应的药液或清洗液等。
在此种基板处理装置中,为了监视是否适当地喷出有处理液,而提出有设置照相机的技术(专利文献1~专利文献5)。
另外,在半导体基板的制造工序中,残留于所述基板的周缘端部上的各种膜有时会对基板的器件面带来不良影响。
因此,自以前起便提出有用于自基板的周缘端部去除所述膜的斜面处理。在斜面处理中,通过一边使基板在水平面内旋转,一边自喷出喷嘴向所述基板的端部喷出去除用处理液,而利用所述处理液将基板的周缘端部的膜去除。
[现有技术文献]
[专利文献]
[专利文献1]日本专利特开2015-173148号公报
[专利文献2]日本专利特开2017-29883号公报
[专利文献3]日本专利特开2015-18848号公报
[专利文献4]日本专利特开2016-122681号公报
[专利文献5]日本专利特开2008-135679号公报
发明内容
[发明所要解决的问题]
在斜面处理中,只要仅对基板的端部供给处理液即可,因此所述处理液的流量变少。即,自喷出喷嘴喷出的液柱状的处理液变细。因此,所述液柱状的处理液容易受到伴随基板的旋转的气流、以及周围产生的静电等各种主要因素的影响,处理液的喷出状态容易发生变动。
但是,在斜面处理中,喷出喷嘴与基板之间的间隔窄,因此,在对自喷出喷嘴喷出的液柱状的处理液进行拍摄时,需要耗费工夫。
因此,本申请的目的在于提供一种可对喷出至基板的端部的液柱状的处理液进行监视的基板处理方法及基板处理装置。
[解决问题的技术手段]
基板处理方法的第1实施方式包括:保持工序,使基板保持于基板保持部;旋转工序,使所述基板保持部旋转而使所述基板旋转;上升工序,使包围所述基板保持部的外周的杯状构件上升,并使所述杯状构件的上端位于较保持于所述基板保持部的所述基板的上表面而言更高的上端位置;斜面处理工序,自位于较所述上端位置而言更低的位置的喷嘴的喷出口向保持于所述基板保持部的所述基板的上表面的端部喷出处理液;摄像工序,使照相机对作为包含自所述喷嘴的所述喷出口喷出的处理液的摄像区域且自保持于所述基板保持部的所述基板的上方的摄像位置看到的摄像区域进行拍摄,取得摄像图像;以及监视工序,基于所述摄像图像判定所述处理液的喷出状态。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社斯库林集团,未经株式会社斯库林集团许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910936715.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:切割芯片接合薄膜
- 下一篇:基板处理装置和检查方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造