[发明专利]闪存器件的制造方法

权利要求书

1.一种闪存器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供一衬底，所述衬底包括有源区，所述有源区上形成有栅极，所述栅极包括控制栅；

对所述栅极和所述衬底进行氮化处理，以改变所述控制栅的侧表面活性；

在所述栅极和所述衬底的表面填充有机介质层，使所述有机介质层填充在所述控制栅之间，所述有机介质层的高度高于所述栅极的高度；

对所述有机介质层进行第一次去除，使所述栅极的第二氧化硅层暴露在外，不暴露所述栅极的ONO介电层，所述ONO介电层位于所述第二氧化硅层的下方；

对所述栅极顶部的第二氧化硅层进行第二次去除；

对所述衬底和所述栅极表面的所述有机介质层进行第三次去除。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氮化处理的处理温度为600摄氏度至1000摄氏度。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述氮化处理的时间为30秒至1分钟。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在对所述栅极和所述衬底进行所述氮化处理时，通入的氮气的流量大于60标准毫升/分钟。

5.根据权利要求1至4任一所述的方法，其特征在于，所述对所述栅极和所述衬底进行氮化处理之前，还包括：

在所述衬底上生成多层膜结构；

通过光刻工艺覆盖所述多层膜结构表面所述栅极所在区域；

对所述多层膜结构除所述栅极所在区域的其它区域进行刻蚀，形成所述栅极。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述多层膜结构沿所述衬底至所述栅极的方向依次包括氧化层、第一多晶硅层、介电层、第二多晶硅层、间隔层以及硬掩模层；

所述第二多晶硅层在通过所述刻蚀之后形成所述控制栅。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述氧化层包括第一氧化硅层，所述间隔层包括氮化硅层，所述介电层包括ONO介电层。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述硬掩模层包括第二氧化硅层。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述有机介质层进行第一次去除，包括：

通过干法刻蚀工艺对所述有机介质层进行所述第一次去除。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述干法刻蚀工艺的反应气体包括氧气。

11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述衬底和所述栅极表面的所述有机介质层进行第三次去除，包括：

通过湿法刻蚀工艺对所述衬底和所述栅极表面的所述有机介质层进行所述第三次去除。

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述湿法刻蚀工艺的反应溶液包括氟化氢。

13.根据权利要求1至4任一所述的方法，其特征在于，所述有源区包括存储单元区域和外围电路区域。