[发明专利]图像传感器、图像传感器模块和制造图像传感器的方法在审
申请号: | 201910938386.3 | 申请日: | 2019-09-30 |
公开(公告)号: | CN111081725A | 公开(公告)日: | 2020-04-28 |
发明(设计)人: | 林夏珍;金局泰;田钟珉;许在成;洪慧理 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 尹淑梅;薛义丹 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 图像传感器 模块 制造 方法 | ||
1.一种图像传感器,所述图像传感器包括:
光电转换器,位于基底的像素区域中以响应于入射到像素区域上的入射光而产生光电子;
信号发生器,在像素区域中位于基底的第一表面上以根据光电子产生与对象的图像信息对应的电信号;以及
像素分离图案,从基底的第一表面到基底的第二表面穿透基底,基底的第一表面与基底的第二表面相对,像素分离图案包括折射率小于基底的折射率的绝缘图案和被绝缘图案围绕的金属导电图案,像素区域被像素分离图案围绕并且与邻近像素区域隔离。
2.如权利要求1所述的图像传感器,其中,像素分离图案具有梯形形状,梯形形状的宽度从基底的第一表面到第二表面减小。
3.如权利要求2所述的图像传感器,其中,绝缘图案在第一表面和第二表面之间具有均匀的厚度,并且金属导电图案具有从第一表面到第二表面减小的不均匀的厚度。
4.如权利要求2所述的图像传感器,所述图像传感器还包括附加分离图案,附加分离图案邻近第一表面与绝缘图案接触并使相邻像素区域分离,附加分离图案包括与基底的第一表面共面的边界表面和与基底中的金属导电图案接触的内表面。
5.如权利要求2所述的图像传感器,其中,像素分离图案包括位于绝缘图案和金属导电图案之间的保护图案。
6.如权利要求5所述的图像传感器,其中,绝缘图案和保护图案分别在第一表面和第二表面之间具有均匀的厚度,并且金属导电图案在第一表面和第二表面之间具有不均匀的厚度。
7.如权利要求5所述的图像传感器,所述图像传感器还包括附加分离图案,附加分离图案邻近第一表面与绝缘图案接触并使相邻像素区域分离,附加分离图案包括与基底的第一表面共面的边界表面和与保护图案接触的内表面。
8.如权利要求1所述的图像传感器,其中,像素分离图案包括金属导电图案中的气隙,气隙包括填充有空气的孔洞。
9.如权利要求1所述的图像传感器,所述图像传感器还包括:
布线结构,位于基底的第一表面上并连接到信号发生器;
缓冲层,位于基底的第二表面上;以及
透光单元,位于缓冲层上,入射光通过透光单元入射到光电转换器上。
10.如权利要求1所述的图像传感器,其中,金属导电图案包括氮化钛、氮化钽、钨、铜、透明导电氧化物及其组合中的至少一种。
11.一种图像传感器模块,所述图像传感器模块包括:
图像传感器,具有多个单元像素以根据入射光产生与对象的图像对应的电信号,所述多个单元像素位于基底上并且通过穿透基底的像素分离图案彼此分离,像素分离图案具有绝缘图案和被绝缘图案围绕的金属导电图案;以及
图像信号处理器(ISP),电连接到图像传感器并处理电信号以产生对象的图像数据。
12.如权利要求11所述的图像传感器模块,其中,图像传感器的像素分离图案具有梯形形状,梯形形状的宽度从基底的第一表面到基底的与第一表面相对的第二表面减小。
13.如权利要求12所述的图像传感器模块,其中,图像传感器包括附加分离图案,附加分离图案在第一表面附近与绝缘图案接触并使邻近单元像素分离,附加分离图案包括与基底的第一表面共面的边界表面和与基底中的金属导电图案接触的内表面。
14.如权利要求12所述的图像传感器模块,其中,图像传感器的像素分离图案包括位于绝缘图案和金属导电图案之间的保护图案。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社,未经三星电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910938386.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种飞机培训系统
- 下一篇:多光子芯片激光雷达系统架构
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的