[发明专利]OLED显示面板、显示设备和执行生物特征识别的方法在审
申请号: | 201910938569.5 | 申请日: | 2019-09-30 |
公开(公告)号: | CN111009556A | 公开(公告)日: | 2020-04-14 |
发明(设计)人: | 朴敬培;尹晟荣;李启滉;陈勇完;许哲准 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;G06K9/00 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 张波 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | oled 显示 面板 设备 执行 生物 特征 识别 方法 | ||
1.一种OLED显示面板,包括:
基板;
在所述基板上的OLED光发射器,所述OLED光发射器被配置为发射光;以及
在所述基板上的可见光传感器,所述可见光传感器被配置为基于所发射的光的至少一部分的自识别目标的反射而检测所发射的光的所述部分,
其中所述可见光传感器:
在与所述OLED光发射器相邻的非发光区域中,从而在平行于所述基板的上表面延伸的水平方向上与所述OLED光发射器水平对准,或者
在所述基板和与所述OLED光发射器相邻的非发光区域之间,使得所述可见光传感器在垂直于所述基板的所述上表面延伸的垂直方向上与所述非发光区域垂直对准。
2.根据权利要求1所述的OLED显示面板,其中所述可见光传感器被配置为吸收可见光的整个波长光谱中的光。
3.根据权利要求1所述的OLED显示面板,其中所述可见光传感器包括包含有机材料的有机光电二极管。
4.根据权利要求1所述的OLED显示面板,其中所述可见光传感器包括非晶Si基P-I-N光电二极管、多晶Si基P-I-N光电二极管、CIGS(Cu-In-Ga-Se)光电二极管或Cd-Te光电二极管。
5.根据权利要求1所述的OLED显示面板,还包括:
在所述基板上的红外光发射器,所述红外光发射器被配置为发射红外光;以及
在所述基板上的红外光传感器,所述红外光传感器被配置为基于所发射的红外光的至少一部分的自所述识别目标的反射而检测所发射的红外光的所述部分,
其中所述红外光传感器:
在与所述OLED光发射器相邻的单独的非发光区域中,或者
在所述基板和与所述OLED光发射器相邻的单独的非发光区域之间。
6.根据权利要求1所述的OLED显示面板,还包括:
在所述基板上的OLED光发射器的阵列,所述OLED光发射器的阵列包括所述OLED光发射器;以及
在所述基板上的可见光传感器的阵列,所述可见光传感器的阵列包括所述可见光传感器,
其中所述OLED光发射器的阵列延伸经过所述OLED显示面板的第一区域,所述可见光传感器的阵列延伸经过所述OLED显示面板的第二区域,所述第二区域小于所述第一区域,使得所述可见光传感器的阵列不延伸经过所述OLED显示面板的至少第三区域,所述第三区域:
包括所述OLED光发射器的阵列中的至少一个OLED光发射器,以及
不包括可见光传感器。
7.根据权利要求6所述的OLED显示面板,其中
所述第一区域在所述OLED显示面板的全部面积上延伸,
所述第二区域在所述OLED显示面板的有限面积上延伸,以及
所述第三区域在所述第二区域的至少一侧和所述OLED显示面板的至少一个边缘之间延伸。
8.根据权利要求7所述的OLED显示面板,其中
所述第三区域完全围绕所述第二区域并且在所述第二区域的所有侧和所述OLED显示面板的所有边缘之间。
9.根据权利要求6所述的OLED显示面板,还包括:
在所述基板上的红外光发射器的阵列,所述红外光发射器的阵列被配置为发射红外光;以及
在所述基板上的红外光传感器的阵列,所述红外光传感器的阵列被配置为基于所发射的红外光的至少一部分的自所述识别目标的反射而检测所发射的红外光的所述部分,
其中所述红外光发射器的阵列和所述红外光传感器的阵列延伸经过所述第一区域的至少一部分。
10.根据权利要求9所述的OLED显示面板,其中所述红外光发射器的阵列和所述红外光传感器的阵列不延伸经过所述第二区域。
11.根据权利要求9所述的OLED显示面板,其中所述红外光发射器的阵列和所述红外光传感器的阵列不延伸经过所述第三区域。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的