[发明专利]一种梁膜式压电阵列打印头的转印制造方法有效
申请号: | 201910938642.9 | 申请日: | 2019-09-30 |
公开(公告)号: | CN110588177B | 公开(公告)日: | 2021-01-15 |
发明(设计)人: | 邵金友;杨正杰;王小培;王春慧;田洪淼;平鹏祥;严超 | 申请(专利权)人: | 西安交通大学 |
主分类号: | B41J2/16 | 分类号: | B41J2/16 |
代理公司: | 西安智大知识产权代理事务所 61215 | 代理人: | 贺建斌 |
地址: | 710049 陕*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 梁膜式 压电 阵列 打印头 印制 方法 | ||
1.一种梁膜式压电阵列打印头的转印制造方法,其特征在于:首先制备出梁膜式压电阵列打印头液体通道板,同时单独制备出梁膜式压电阵列打印头压电驱动板,然后通过转印的方式将梁膜式压电阵列打印头压电驱动板上的压电驱动结构与梁膜式压电阵列打印头液体通道板结合,形成完整的梁膜式压电阵列打印头;
所述的梁膜式压电阵列打印头液体通道板的制备方法,包括以下步骤:
S01、提供第一块硅衬底,并在第一块硅衬底的两面分别刻蚀出流道与喷孔;
S02、提供第二块硅衬底,并在第二块硅衬底的两面分别刻蚀出压力腔室与分隔梁,相邻两分隔梁之间的凹槽与压力腔室中间的夹层作为振动膜;
S03、将第一块硅衬底带有流道的一面与第二块硅衬底带有压力腔室的一面进行对准键合,形成完整的打印头液体通道板,其中键合方法是硅硅键合、阳极键合、聚合物中间层键合、金硅键合、金属共晶键合、金属热压键合或其他任意一种高温或低温的键合集成方法;
所述的梁膜式压电阵列打印头压电驱动板的制备方法,包括以下步骤:
S04、提供第三块硅衬底,并在第三块硅衬底的正面依次制备绝缘层、下电极、压电陶瓷、上电极,制备压电陶瓷的方法是研磨减薄法、丝网印刷法、溶胶凝胶法、磁控溅射法或其他任意一种在平面上形成压电陶瓷膜的方法,实现数微米至数十微米甚至数百微米厚度的压电陶瓷膜的制备;
S05、对第三块硅衬底上的下电极、压电陶瓷、上电极以及绝缘层与硅基底材料进行图案化,形成打印头压电驱动板,其中图案化的方法是干法刻蚀、湿法刻蚀或激光刻蚀中的任意一种;
所述的梁膜式压电阵列打印头的转印制备方法,包括以下步骤:
S06、将打印头液体通道板上带有分隔梁及相邻两分隔梁之间的凹槽的一面沉积键合材料,并与打印头的压电驱动板的正面,即带有下电极、压电陶瓷、上电极的一面进行对准键合,键合面包括上电极与振动膜的键合面、分隔梁表面与第三块硅衬底上的图案化硅基底材料的键合面,其中键合方法是聚合物中间层键合、金硅键合、金-金热压键合方法中的任意一种;
S07、去除打印头压电驱动板上硅衬底、绝缘层的多余材料,实现压电陶瓷材料的转印,形成完整的梁膜式压电阵列打印头。
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