[发明专利]LED芯片及显示面板

权利要求书

1.一种LED芯片，其特征在于，包括：基板、N型半导体层、多量子阱层、P型半导体层、P电极和N电极，所述N型半导体层、所述多量子阱层及所述P型半导体层依次层叠设置所述基板上；

所述P电极和所述N电极位于所述N型半导体层的上方，且分别位于所述多量子阱层外周的不同位置；所述N电极与所述N型半导体层电性连接，所述P电极与所述P型半导体层电性连接；

所述LED芯片还包括电流扩散层；

所述电流扩散层覆盖在所述P型半导体层背离所述多量子阱层的表面，并与所述P电极电性连接；

所述电流扩散层的一部分延伸至位于P电极与所述N型半导体层之间；

所述N型半导体层包括N型半导体层本体和设置在该N型半导体层本体的外周侧壁上的至少一个凸出部，所述凸出部的底端伸出所述N型半导体层本体的底面。

2.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述LED芯片还包括反射层，所述反射层的至少部分包覆在所述多量子阱层的侧壁上。

3.根据权利要求2所述的LED芯片，其特征在于，所述反射层的一部分位于所述电流扩散层背离所述多量子阱层的侧壁的表面，并延伸至所述P电极，所述反射层的另一部分覆盖在所述多量子阱层的侧壁，并延伸至所述N电极。

4.根据权利要求2所述的LED芯片，其特征在于，所述反射层为布拉格反射层。

5.根据权利要求2所述的LED芯片，其特征在于，所述LED芯片还包括第一绝缘层；

所述第一绝缘层覆盖在所述电流扩散层背离所述P型半导体层的表面，且延伸至所述反射层背离所述多量子阱层的侧壁的表面。

6.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述LED芯片还包括第二绝缘层，所述第二绝缘层覆盖在所述P型半导体层和多量子阱层的侧壁上，并延伸至所述N型半导体层上；

其中，所述第二绝缘层位于所述N型半导体层上的一部分延伸至所述电流扩散层与N型半导体层之间。

7.根据权利要求1至6任一项所述的LED芯片，其特征在于，所述凸出部的数量为偶数个，每两个所述凸出部沿所述N型半导体层的中心轴线对称。

8.一种显示面板，其特征在于，包括盖板和如权利要求1至7任一项所述的LED芯片；

所述盖板与所述基板相对设置；所述N型半导体层、多量子阱层及P型半导体层均位于所述基板与所述盖板之间；

所述盖板上设置有微透镜；和/或，所述盖板上覆盖有偏光片。