[发明专利]一种顶栅肖特基氧化物薄膜晶体管及制备方法

权利要求书

1.一种顶栅肖特基氧化物薄膜晶体管，包括：

衬底；

源极，漏极，其设置在所述衬底上；

有源区，其包括设置在所述衬底上的第一部分，该部分位于所述源极和漏极之间，所述有源区还包括覆盖所述源极和漏极部分顶面的与所述第一部分相连的第二部分，所述有源区与所述源极和漏极形成肖特基接触；

绝缘层，其设置在所述源极、漏极和有源区上；以及

栅电极，其设置在所述绝缘层上方。

2.如权利要求1所述的晶体管，进一步包括保护层，其设置在所述有源区上以及所述绝缘层下方。

3.如权利要求1所述的晶体管，进一步包括缓冲层和/或遮光层，其设置在所述衬底与源极、漏极和所述衬底与所述有源区之间。

4.如权利要求1所述的晶体管，其中形成所述源极和漏极的材料的功函数大于所述有源层的功函数。

5.如权利要求1所述的晶体管，其中所述有源区与所述源极或漏极之间重叠部分的尺寸为0.1μm～10μm，和/或所述栅电极与所述源极或漏极之间重叠部分的尺寸为0.1μm～10μm。

6.如权利要求1所述的晶体管，其中所述有源区的厚度为10nm～200nm，和/或所述源/漏极的厚度为10nm～400nm，和/或所述栅电极的厚度为10nm～500nm。

7.一种顶栅肖特基氧化物薄膜晶体管的制备方法，包括：

在衬底上形成第一导电层并对所述第一导电层图形化形成彼此电隔离的源极和漏极；

在所述衬底上和所述源极和漏极上形成有源层，并对所述有源层图形化以形成位于所述源极和漏极之间的和覆盖所述源极和漏极一部分的有源区；

至少在所述有源区、源极和漏极上方形成绝缘层；以及

在所述绝缘层上方形成第二导电层，并对所述第二导电层图形化形成至少位于所述源极和漏极之间的有源区上方的栅电极。

8.如权利要求7所述的方法,进一步包括在位于所述源极和漏极未被所述有源区覆盖的区域上方的绝缘层中形成接触孔，并在所述接触孔中形成与所述源极和漏极电连接的电接触。

9.如权利要求7所述的方法，进一步包括在形成所述绝缘层以及在对所述有源层进行图形化之前，在所述有源区上形成保护层；

对所述保护层进行图形化，以保留位于所述源极漏极之间所述有源层上方的部分和覆盖部分所述源极和漏极的部分；以及

对所述有源层进行图形化，以去除没有被所述保护层覆盖的部分，从而形成所述有源区。

10.如权利要求7所述的方法，进一步包括在形成所述第一导电层之前，在所述衬底上形成缓冲层和/或遮光层。