[发明专利]功率半导体模块衬底在审
| 申请号： | 201910940010.6 | 申请日： | 2019-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN110867438A | 公开（公告）日： | 2020-03-06 |
| 发明（设计）人： | 周宇;罗皓泽;李武华;毛赛君;沈捷;何湘宁 | 申请（专利权）人： | 臻驱科技(上海)有限公司;浙江大学 |
| 主分类号： | H01L25/18 | 分类号： | H01L25/18;H01L23/495 |
| 代理公司： | 北京金信知识产权代理有限公司 11225 | 代理人： | 刘锋 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 功率 半导体 模块 衬底 | ||
1.一种功率半导体模块衬底，其特征在于，包括：
第一功率金属敷层，在该第一功率金属敷层上按两排平行排列有属于第一桥臂开关的N个晶体管芯片和N个二极管芯片，N为正整数；
第二功率金属敷层，在该第二功率金属敷层上形成有第一发射极信号端子；
第三功率金属敷层，在该第三功率金属敷层上按两排平行排列有属于第二桥臂开关的N个晶体管芯片和N个二极管芯片；
第四功率金属敷层，在该第四功率金属敷层上形成有第二发射极信号端子；以及
辅助金属敷层，该辅助金属敷层形成于第一功率金属敷层与第二功率金属敷层之间以及第三功率金属敷层与第四功率金属敷层之间，在该辅助金属敷层上形成有栅极信号端子，
辅助金属敷层在晶体管芯片和二极管芯片的排列方向上延伸，至少延伸至与排列方向上位于最边缘处的晶体管芯片的控制电极正对的位置。
2.根据权利要求1所述的功率半导体模块衬底，其特征在于，
二极管芯片与栅极信号端子的距离大于晶体管芯片与栅极信号端子的距离。
3.根据权利要求1所述的功率半导体模块衬底，其特征在于，
通过连接装置使晶体管芯片和二极管芯片的上表面的功率电极相互连接且使晶体管芯片和二极管芯片的上表面的功率电极与其他功率金属敷层连接。
4.根据权利要求3所述的功率半导体模块衬底，其特征在于，所述连接装置为绑定线。
5.根据权利要求1所述的功率半导体模块衬底，其特征在于，辅助金属敷层与其他功率金属敷层相互绝缘。
6.根据权利要求1所述的功率半导体模块衬底，其特征在于，第一发射极信号端子和第二发射极信号端子都靠近栅极信号端子。
7.根据权利要求1所述的功率半导体模块衬底，其特征在于，N为3。
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