[发明专利]堆叠键合晶圆的处理方法

说明书

一种堆叠键合晶圆处理方法，包括：向堆叠键合晶圆的边缘注入胶体；同时切割去除所述堆叠键合晶圆的部分宽度的边缘以及边缘注入的胶体。本发明的堆叠键合晶圆处理机台在对多层堆叠键合晶圆进行处理时，在每次对两键合的晶圆进行注胶和研磨后，无需进行去除注胶和削减(切割)步骤，在多层堆叠键合晶圆形成后，通过削减单元进行一步削减工艺即可同时切割去除所述堆叠键合晶圆的部分宽度的边缘以及边缘注入的胶体，因而可以避免多层堆叠晶圆的制作过程中多次削减带来的过多的晶圆边缘削减，进而避免造成过多的良率损失。

技术领域

本发明涉及半导体领域，尤其涉及一种堆叠键合晶圆的处理方法。

背景技术

随着堆栈式芯片时代的来临，边缘削减(edge trimming)技术也日益重要。晶圆边缘削减即是利用刀片(dicing blade)将堆栈式晶圆的边缘削减一部份，移除堆栈式晶圆有异常的部份。

现有的一种削减工艺包括：提供第一晶圆和第二晶圆；将第一晶圆和第二晶圆键合形成堆叠键合晶圆；对所述堆叠键合晶圆中的第二晶圆进行减薄；进行减薄后，去除所述堆叠键合晶圆的部分宽度的边缘，以去除堆叠键合晶圆中边缘异常的部分。

当存在多层晶圆的堆叠时，所以每经一次晶圆键合堆叠以及减薄步骤，都必须移除边缘异常的部份，因而在进行多层的晶圆堆叠后，边缘削减的部份则会相当可观，进而造成良率的损失。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是怎样提高解键合的成功率。

本发明提供了一种堆叠键合晶圆处理方法，包括：

向堆叠键合晶圆的边缘注入胶体；

同时切割去除所述堆叠键合晶圆的部分宽度的边缘以及边缘注入的胶体。

可选的，所述向堆叠键合晶圆的边缘注入胶体的过程包括：向堆叠键合晶圆的边缘注入流体状的胶水；对所述注入的胶水进行硬化形成胶体。

可选的，所述硬化处理为热辐射加热。

可选的，通过刀片旋转以切割去除所述堆叠键合晶圆的部分宽度的边缘以及边缘注入的胶体，在切割时向切割位置提供润滑剂。

可选的，在进行切割的同时，所述堆叠键合晶圆旋转。

可选的，所述堆叠键合晶圆至少包括两层晶圆。

可选的，所述堆叠键合晶圆包括三层晶圆，所述三层晶圆包括第一晶圆、第二晶圆和第三晶圆，所述第二晶圆位于第一晶圆上与第一晶圆键合在一起，所述第三晶圆位于第二晶圆上与第二晶圆键合在一起。

可选的，还包括：对边缘注入有胶体的堆叠键合晶圆进行减薄；同时切割去除所述减薄后的堆叠键合晶圆的部分宽度的边缘以及边缘注入的胶体。

可选的，将第一晶圆和第二晶圆键合形成第一堆叠键合晶；在所述第一键合晶圆的边缘注入第一胶体，对边缘注入第一胶体的所述第一键合晶圆上的第二晶圆进行减薄；在减薄后的第二晶圆上键合第三晶圆形成第二堆叠键合晶圆；在所述第二堆叠键合晶圆中第三晶圆和减薄后的第二晶圆边缘注入第二胶体；对所述边缘注入第二胶体的第二键合晶圆上的第三晶圆进行减薄；同时切割去除所述减薄后的第二堆叠键合晶圆的部分宽度的边缘以及边缘注入的第一胶体和第二胶体。

与现有技术相比，本发明技术方案具有以下优点：