[发明专利]显示装置、栅极驱动电路、移位寄存电路及其驱动方法有效
申请号: | 201910940577.3 | 申请日: | 2019-09-30 |
公开(公告)号: | CN110610676B | 公开(公告)日: | 2021-10-26 |
发明(设计)人: | 冯雪欢;李永谦 | 申请(专利权)人: | 合肥京东方卓印科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | G09G3/20 | 分类号: | G09G3/20;G11C19/28 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 白雪静 |
地址: | 230012 安徽省合肥市新*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 栅极 驱动 电路 移位 寄存 及其 方法 | ||
本发明公开了一种显示装置、栅极驱动电路、移位寄存电路及其驱动方法,其中,移位寄存电路包括均与第一节点连接的输入单元、输出单元和阻漏单元,输入单元和阻漏单元还均与第二节点连接,第二节点连接在第一节点的漏电回路中,阻漏单元用以接收第二控制信号,并在第二控制信号为低电平时,根据第二控制信号和拉高后的第一节点的电位使第二节点保持高电位,以通过第二节点的高电位阻止第一节点通过漏电回路漏电。该移位寄存电路,通过阻漏单元阻止第一节点通过漏电回路漏电,能够消除移位寄存电路输出端的异常现象,保证移位寄存电路的正常输出。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别涉及一种显示装置、一种栅极驱动电路、一种移位寄存电路、一种移位寄存电路的驱动方法。
背景技术
在显示技术领域,氧化物TFT(Thin Film Transistor,薄膜晶体管)常用于移位寄存电路中,但由于氧化物TFT是耗尽型晶体管,因此在实际应用中常出现栅极漏电情况,氧化物TFT的漏电又会引起栅极驱动电路的输出级联不完全,使移位寄存电路的输出端出现异常。
发明内容
本发明旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。
为此,本发明的第一个目的在于提出一种移位寄存电路,通过阻漏单元阻止第一节点通过漏电回路漏电,进而能够消除移位寄存电路输出端的异常现象,保证移位寄存电路的正常输出。
本发明的第二个目的在于提出一种移位寄存电路的驱动方法。
本发明的第三个目的在于提出一种栅极驱动电路。
本发明的第四个目的在于提出一种显示装置。
为达上述目的,本发明第一方面实施例提出了一种移位寄存电路,包括均与第一节点连接的输入单元、输出单元和阻漏单元,所述输入单元和所述阻漏单元还均与第二节点连接,所述第二节点连接在所述第一节点的漏电回路中,其中,所述输入单元,用以接收第一控制信号,并根据所述第一控制信号拉高所述第一节点的电位;所述输出单元,用以接收第一时钟信号,并根据所述第一时钟信号和拉高后的所述第一节点的电位,产生所述移位寄存电路的输出信号;所述阻漏单元,用以接收第二控制信号,并在所述第二控制信号为低电平时,根据所述第二控制信号和拉高后的所述第一节点的电位使所述第二节点保持高电位,以通过所述第二节点的高电位阻止所述第一节点通过所述漏电回路漏电,以及在所述第二控制信号为高电平时,根据所述第二控制信号拉低所述第一节点和所述第二节点的电位,并使所述第二节点空置。
本发明实施例的移位寄存电路,在其第一节点的漏电回路中连接第二节点,且通过阻漏单元阻止第一节点通过漏电回路漏电,进而能够消除移位寄存电路输出端的异常现象,保证移位寄存电路的正常输出。
另外,根据本发明上述实施例的移位寄存电路还可以具有附加的技术特征:
根据本发明的一个实施例,所述输入单元包括:第一晶体管,所述第一晶体管的栅极用以接收所述第一控制信号,所述第一晶体管的第一极与所述第一晶体管的栅极连接,所述第一晶体管的第二极与所述第二节点连接;第二晶体管,所述第二晶体管的栅极用以接收所述第一控制信号,所述第二晶体管的第一极与所述第二节点连接,所述第二晶体管的第二极与所述第一节点连接。
根据本发明的一个实施例,所述输出单元包括:第三晶体管,所述第三晶体管的栅极与所述第一节点连接,所述第三晶体管的第一极用以接收所述第一时钟信号,所述第三晶体管的第二极作为所述移位寄存电路的输出端;第一电容,所述第一电容的一端与所述第三晶体管的栅极连接,所述第一电容的另一端与所述第三晶体管的第二极连接。
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