[发明专利]一种功率半导体模块的桥臂单元设计

权利要求书

1.一种功率半导体模块的桥臂单元设计，其特征在于，包括上桥臂单元、下桥臂单元、联通连接装置和衬底，所述上桥臂单元及所述下桥臂单元设置在所述衬底上，所述上桥臂单元与所述下桥臂单元相对称设置；

所述上桥臂单元包括第一源极信号端子，第一门极信号端子、第一功率金属敷层及第一辅助金属敷层，所述第一辅助金属敷层及所述第一源极信号端子设置在所述第一功率金属敷层上，所述第一辅助金属敷层设置在所述上桥臂单元的中心位置，所述第一辅助金属敷层设置有第一突出结构，所述第一源极信号端子设置在远离所述第一突出结构的一侧，所述第一门极信号端子设置在所述第一辅助金属敷层上；

所述下桥臂单元包括第二源极信号端子、第二门极信号端子、第二功率金属敷层及第二辅助金属敷层，所述第二辅助金属敷层及所述第二源极信号端子设置在所述第二功率金属敷层上，所述第二辅助金属敷层设置在所述下桥臂单元的中心位置，所述第二辅助金属敷层设置有第二突出结构，所述第二源极信号端子设置在远离所述第二突出结构的一侧，所述第二门极信号端子设置在所述第二辅助金属敷层上。

2.如权利要求1所述的功率半导体模块的桥臂单元设计，其特征在于，所述上桥臂单元还包括第三源极信号端子，所述第三源极信号端子设置在靠近所述第一突出结构的一侧；所述下桥臂单元还包括与所述第三源极信号端子相对称的第四源极信号端子，所述第四源极信号端子设置在靠近所述第二突出结构的一侧。

3.如权利要求1所述的功率半导体模块的桥臂单元设计，其特征在于，所述第一辅助金属敷层的第一突出结构为向所述衬底的底部方向突出，所述第二辅助金属敷层的第二突出结构为向所述衬底的顶部方向突出。

4.如权利要求1所述的功率半导体模块的桥臂单元设计，其特征在于，所述第一辅助金属敷层的第一突出结构为向所述衬底的顶部方向突出，所述第二辅助金属敷层的第二突出结构为向所述衬底的底部方向突出。

5.如权利要求1所述的功率半导体模块的桥臂单元设计，其特征在于，还包括联通金属敷层，所述联通连接装置设置在所述联通金属敷层上。

6.如权利要求1所述的功率半导体模块的桥臂单元设计，其特征在于，所述上桥臂单元还包括第三功率金属敷层、第四功率金属敷层、第三辅助金属敷层和第四辅助金属敷层，所述第三辅助金属敷层和所述第四辅助金属敷层分别设置在所述上桥臂单元的左右两侧，所述第三辅助金属敷层设置在第三功率金属敷层与第一功率金属敷层之间，第四辅助金属敷层设置在第四功率金属敷层与第一功率金属敷层之间；

所述下桥臂单元还包括与所述上桥臂单元相对称的第五功率金属敷层、第六功率金属敷层、第五辅助金属敷层和第六辅助金属敷层，所述第五辅助金属敷层和所述第六辅助金属敷层分别设置在所述下桥臂单元的左右两侧，所述第五辅助金属敷层设置在第五功率金属敷层与第二功率金属敷层之间，第六辅助金属敷层设置在第六功率金属敷层与第二功率金属敷层之间。

7.如权利要求1所述的功率半导体模块的桥臂单元设计，其特征在于，有数量相同的功率半导体芯片布置于第三功率金属敷层、第四功率金属敷层、第五功率金属敷层和第六功率金属敷层，所述半导体芯片上表面布置有连接装置以实现所述半导体芯片与相邻功率金属敷层的电连接，不同芯片的连接装置长度不一致。

8.如权利要求1所述的功率半导体模块的桥臂单元设计，其特征在于，所述衬底的顶部还设置有交流端子连接处。

9.如权利要求1所述的功率半导体模块的桥臂单元设计，其特征在于，所述衬底的底部还设置有正极端子连接处和负极端子连接处。

10.如权利要求6所述的功率半导体模块的桥臂单元设计，其特征在于，在所述第一突出结构设置有第一辅助连接装置，所述第一辅助连接装置与所述第三辅助金属敷层及所述第四辅助金属敷层相连接；在所述第二突出结构设置有第二辅助连接装置，所述第二辅助连接装置与所述第五辅助金属敷层及所述第六辅助金属敷层相连接。