[发明专利]堆叠键合晶圆处理装置在审
申请号: | 201910940808.0 | 申请日: | 2019-09-30 |
公开(公告)号: | CN110854039A | 公开(公告)日: | 2020-02-28 |
发明(设计)人: | 余兴;蒋维楠 | 申请(专利权)人: | 芯盟科技有限公司;浙江清华长三角研究院 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/304;H01L21/60 |
代理公司: | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人: | 孙佳胤;高德志 |
地址: | 314400 浙江省嘉兴市海宁市海*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 堆叠 键合晶圆 处理 装置 | ||
1.一种堆叠键合晶圆处理机台,其特征在于,包括:
注胶单元,用于向堆叠键合晶圆的边缘注入胶体;
削减单元,用于同时切割去除所述堆叠键合晶圆的部分宽度的边缘以及边缘注入的胶体。
2.如权利要求1所述的堆叠键合晶圆处理机台,其特征在于,所述注胶单元包括注胶模块和硬化模块,所述注胶模块用于向堆叠键合晶圆的边缘注入流体状的胶水,所述硬化模块用于对所述注入的胶水进行硬化形成胶体。
3.如权利要求2所述的堆叠键合晶圆处理机台,其特征在于,所述硬化模块为红外加热模块,通过热辐射对所述注入的胶体进行加热使得所述注入的胶体硬化。
4.如权利要求1所述的堆叠键合晶圆处理机台,其特征在于,所述消减单元包括刀片模块和润滑剂提供模块,所述刀片模块包括刀片和与刀片连接的控制模块,所述控制模块控制刀片旋转以切割去除所述堆叠键合晶圆的部分宽度的边缘以及边缘注入的胶体,所述润滑剂提供模块用于在切割时向切割位置提供润滑剂。
5.如权利要求1所述的堆叠键合晶圆处理机台,其特征在于,所述削减单元中还包括:晶圆载台,所述晶圆载台用于固定所述堆叠键合晶圆,并带动所述堆叠键合晶圆旋转。
6.如权利要求1所述的堆叠键合晶圆处理机台,其特征在于,所述堆叠键合晶圆至少包括两层晶圆。
7.如权利要求6所述的堆叠键合晶圆处理机台,其特征在于,所述堆叠键合晶圆包括三层晶圆,所述三层晶圆包括第一晶圆、第二晶圆和第三晶圆,所述第二晶圆位于第一晶圆上与第一晶圆键合在一起,所述第三晶圆位于第二晶圆上与第二晶圆键合在一起。
8.如权利要求6所述的堆叠键合晶圆处理机台,其特征在于,所述堆叠键合晶圆处理机台还包括研磨单元,所述研磨单元用于对边缘注入有胶体的堆叠键合晶圆进行减薄,所述削减单元用于同时切割去除所述减薄后的堆叠键合晶圆的部分宽度的边缘以及边缘注入的胶体。
9.如权利要求8所述的堆叠键合晶圆处理机台,其特征在于,所述注胶单元在第一晶圆和第二晶圆键合形成第一堆叠键合晶圆后,在所述第一键合晶圆的边缘注入第一胶体,所述研磨单元对边缘注入第一胶体的所述第一键合晶圆上的第二晶圆进行减薄;所述注胶单元在减薄后的第二晶圆上键合第三晶圆形成第二堆叠键合晶圆后,在所述第二堆叠键合晶圆中第三晶圆和减薄后的第二晶圆边缘注入第二胶体;所述研磨单元对边缘注入第二胶体的第二键合晶圆上的第三晶圆进行减薄;所述削减单元同时切割去除所述减薄后的第二堆叠键合晶圆的部分宽度的边缘以及边缘注入的第一胶体和第二胶体。
10.如权利要求1或8所述的堆叠键合晶圆处理机台,其特征在于,所述堆叠键合晶圆处理机台还包括:传送单元,用于在各单元之间进行堆叠键合晶圆的传送。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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