[发明专利]一种基板及其制备方法、显示装置有效
申请号: | 201910941144.X | 申请日: | 2019-09-30 |
公开(公告)号: | CN110676297B | 公开(公告)日: | 2022-10-18 |
发明(设计)人: | 庄子华;王利忠 | 申请(专利权)人: | 福州京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L27/12;H01L27/15;H01L21/77 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 350300 福建省*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 及其 制备 方法 显示装置 | ||
本发明实施例提供一种基板及其制备方法、显示装置,涉及显示技术领域,可改善因纹路识别单元和绝缘层的叠加应力过大而导致基板变形的问题。一种基板包括衬底、设置于所述衬底上的绝缘层和纹路识别单元;所述绝缘层具有凹槽,所述纹路识别单元中的至少一部分位于所述凹槽中。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种基板及其制备方法、显示装置。
背景技术
当前,指纹识别功能成为手机必不可少的一部分。其中,屏下指纹识别是当前研究的热门。
如图1所示,现有技术通过在显示装置中设置光学传感器102,以使显示装置实现指纹识别功能。
然而,由于光学传感器102和用于控制光学传感器102工作的薄膜晶体管101的叠层较多,从而导致光学传感器102和薄膜晶体管101上的应力过大,容易导致显示装置变形甚至断裂。
发明内容
本发明的实施例提供一种基板及其制备方法、显示装置,可改善因纹路识别单元和绝缘层的叠加应力过大而导致基板变形的问题。
为达到上述目的,本发明的实施例采用如下技术方案:
第一方面,提供一种基板,包括衬底、设置于所述衬底上的绝缘层和纹路识别单元;所述绝缘层具有凹槽,所述纹路识别单元中的至少一部分位于所述凹槽中。
可选的,所述基板包括薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括所述绝缘层。
可选的,所述薄膜晶体管为顶栅型薄膜晶体管,所述绝缘层为层间绝缘层;所述顶栅型薄膜晶体管还包括设置于所述衬底与所述层间绝缘层之间的第一栅极图案;所述纹路识别单元包括下电极;其中,所述下电极与所述第一栅极图案通过同一导电薄膜得到。
可选的,所述基板还包括存储电容,所述存储电容包括间隔设置的第一电极和第二电极;其中,所述下电极与所述第一电极电连接。
可选的,所述下电极复用作所述第一电极;沿所述衬底指向所述绝缘层的方向,所述顶栅型薄膜晶体管还包括设置于所述衬底与所述第一栅极图案之间的有源图案;所述有源图案包括沟道区、位于所述沟道区两侧的源极区和漏极区,所述顶栅型薄膜晶体管的源极图案与所述源极区电连接,所述顶栅型薄膜晶体管的漏极图案与所述漏极区电连接;所述有源图案与所述第二电极通过同一半导体薄膜得到,所述第二电极、所述源极区、所述漏极区通过对所述半导体薄膜进行导体化得到。
可选的,所述下电极复用作所述第一电极;沿所述衬底指向所述绝缘层的方向,所述顶栅型薄膜晶体管还包括依次设置于所述衬底与所述第一栅极图案之间的第二栅极图案和第一栅绝缘层;所述第二栅极图案与所述第二电极通过同一导电薄膜得到。
可选的,所述薄膜晶体管为底栅型薄膜晶体管,所述绝缘层为第二栅绝缘层;所述底栅型薄膜晶体管包括漏极图案;所述下电极与所述漏极图案通过同一导电薄膜得到。
可选的,所述基板还包括设置于所述纹路识别单元背离所述衬底一侧的平坦层;其中,所述平坦层的厚度范围为1.2~1.8μm。
第二方面,提供一种显示装置,包括第一方面所述的基板。
第三方面,提供一种基板的制备方法,包括:在衬底上形成绝缘层和纹路识别单元;所述绝缘层具有凹槽,所述纹路识别单元中的至少一部分位于所述凹槽中。
可选的,所述基板包括薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括所述绝缘层。
可选的,所述薄膜晶体管为顶栅型薄膜晶体管,所述绝缘层为层间绝缘层;在形成所述层间绝缘层之前,所述基板的制备方法包括:采用同一次工艺在所述衬底上形成所述纹路识别单元的下电极和所述薄膜晶体管的第一栅极图案。
可选的,所述基板包括存储电容;所述存储电容包括间隔设置的第一电极和第二电极;所述下电极与所述第一电极电连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的