[发明专利]一种横向双扩散晶体管及其漂移区的制造方法有效
| 申请号： | 201910942028.X | 申请日： | 2016-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN110729194B | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 韩广涛;陆阳;周逊伟 | 申请（专利权）人： | 杰华特微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310030 浙江省杭州市西湖区三墩镇*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 横向 扩散 晶体管 及其 漂移 制造 方法 | ||
1.一种横向双扩散晶体管漂移区的制造方法，包括以下步骤：
在衬底表面依次至少淀积第一介质层和第二介质层，形成掩膜层；
通过涂覆胶层曝光打开漂移区的中间位置，利用胶层作为阻挡，对第二介质层进行各向异性刻蚀，并进行第一次漂移区的注入，形成第一掺杂区；
利用涂覆在最后介质层上的胶层作为阻挡，对第二介质层进行各向同性刻蚀；
去除胶层，利用第二介质层进行阻挡，再进行第二次漂移区的注入，形成第二掺杂区；
其中，所述第一掺杂区和第二掺杂区的类型相反，第一掺杂区与衬底层的掺杂类型相同；
所述横向双扩散晶体管的漏端引出处设置有与第二掺杂类型相同的阱，并将第一掺杂区切断为左右两部分，以实现对第二掺杂区的引出；第一掺杂区和衬底对第二掺杂区的共同耗尽作用，使第二掺杂区浓度更高，以获得高关断击穿电压和低导通阻抗。
2.一种横向双扩散晶体管漂移区的制造方法，其特征在于：
在衬底表面依次至少淀积第一介质层、第二介质层和第三介质层，形成掩膜层；
通过涂覆胶层曝光打开漂移区的中间位置，利用胶层作为阻挡，对第二介质层和第三介质层进行各向异性刻蚀，并进行第一次漂移区的注入，形成第一掺杂区；
去掉胶层，并进行第一次退火；利用第三介质层的阻挡，对第二介质层进行各向同性刻蚀；
去除第三介质层，利用第二介质层进行阻挡，再进行第二次漂移区的注入，形成第二掺杂区；
其中，所述第一掺杂区和第二掺杂区的类型相反，第一掺杂区与衬底掺杂类型相同；
所述横向双扩散晶体管的漏端引出处设置有与第二掺杂类型相同的阱，并将第一掺杂区切断为左右两部分，以实现对第二掺杂区的引出；第一掺杂区和衬底对第二掺杂区的共同耗尽作用，使第二掺杂区浓度更高，以获得高关断击穿电压和低导通阻抗。
3.一种横向双扩散晶体管，其特征在于：其漂移区由以上权利要求1-2的任意一种制造方法制造而成。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
