[发明专利]一种硅片清洗方法

权利要求书

1.一种硅片清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)使用第一阳极电离液在一定温度下对硅片进行清洗，得到第一硅片；

2)使用阴极电离液在一定温度下对第一硅片进行清洗，得到第二硅片；

3)使用第二阳极电离液在一定温度下对第二硅片进行清洗，得到第三硅片；

4)使用去离子水对第三硅片进行清洗；

其中，所述第一阳极电离液、阴极电离液和第二阳极电离液均通过电解池电解得到；

所述第一阳极电离液包括臭氧、羟基自由基、双氧水中的一种或多种，pH值范围为5～9；

所述阴极电离液包括NH₄⁺、H₂和OH^-，pH值范围为7＜pH≤10；第二阳极电离液包括H⁺，还包括臭氧、羟基自由基、双氧水中的一种或多种，pH值范围为2≤pH＜7。

2.根据权利要求1所述的硅片清洗方法，其特征在于，所述步骤1)～步骤4)的清洗时间为5～900s。

3.根据权利要求2所述的硅片清洗方法，其特征在于，所述步骤1)～步骤4)的清洗时间为优选15～100s。

4.根据权利要求1所述的硅片清洗方法，其特征在于，所述步骤1)第一阳极电离液的温度范围为10～60℃；所述步骤2)阴极电离液的温度范围为10～90℃；所述步骤3)第二阳极电离液的温度范围为10～90℃。

5.根据权利要求1所述的硅片清洗方法，其特征在于，所述电解池包括：

电源；

整体呈矩形的槽体；

阳极电离室，容纳有至少一根阳极电极，所述阳极电极与电源的正极相连；

阴极电离室，容纳有至少一根阴极电极，所述阴极电极与电源的负极相连；

至少一张离子交换膜，所述离子交换膜将槽体划分出所述阴极电离室和所述阳极电离室；

所述阳极电离室包括至少一个第一进水口、至少一个第一出水口；所述阴极电离室包括至少一个第二进水口、至少一个第二出水口；

电源的电压范围为0.01～25V；电流密度范围为5～500mA/cm²。

6.根据权利要求5所述的硅片清洗方法，其特征在于，所述离子交换膜为阳离子交换薄膜或阴离子交换薄膜；所述槽体底部设有凹槽，所述离子交换膜设置于隔板内，所述离子交换膜和隔板靠近槽体底部的一端设置于凹槽内。

7.根据权利要求6所述的硅片清洗方法，其特征在于，所述阳极电离室

内腔的底部设置有至少一个第一供气管道，所述第一供气管道与槽体外部的供气设施相连；所述阴极电离室内腔的底部设置有至少一个第二供气管道，所述第二供气管道与槽体外部的供气设施相连。

8.根据权利要求6所述的硅片清洗方法，其特征在于，所述阳极电离室的阴离子为Cl-、F-、SO₄^2-、PO₄^2-中的一种或多种，阳离子为H+和/或NH₄⁺

中的一种或多种；所述的阴极电离室的阴离子为OH-、Cl-、F-、SO₄^2-、PO₄^2-、BO₃^2-、COOH-中的一种或多种，阳离子为Na+、K+、NH₄⁺中的一种或多种。