[发明专利]微发光二极管芯片及显示面板

说明书

本发明提供一种微发光二极管芯片及显示面板，其中，本发明提供的微发光二极管芯片包括第一类型半导体层、发光层、第二类型半导体层、第一类型电极层、第二类型电极层和绝缘钝化层，第一类型半导体层、发光层、第二类型半导体层依次层叠设置；第一类型电极层形成在第一类型半导体层一侧的侧壁上；绝缘钝化层覆盖第一类型半导体层的部分侧壁、第一类型电极层的侧壁和底面、发光层的侧壁、第二类型半导体层的侧壁和部分底面；第二类型电极层覆盖绝缘钝化层，第二类型电极层与第二类型半导体层露出绝缘钝化层的部分底面欧姆接触。本发明提供的微发光二极管芯片解决了现有的微发光二极管芯片转移难度大、显示效果差的问题。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种微发光二极管芯片及显示面板。

背景技术

微发光二极管(μLED)显示面板是一种以在一个基板上集成尺寸在百微米级别以下的微发光二极管芯片作为显示像素实现图像显示的显示面板，其中每一个像素可单独驱动点亮，微发光二极管显示面板是一种自发光显示面板。

由于现有的微发光二极管芯片的侧壁面积较大，存在侧壁出光造成的光串扰问题，光串扰问题会导致显示面板的显示效果较差显示面板因此现有的微发光二极管芯片存在光串扰导致的显示效果差的问题。

发明内容

本发明实施例提供一种微发光二极管芯片及显示面板，用以解决现有的微发光二极管显示效果差的问题。

为了实现上述目的，本发明实施例提供如下技术方案：

一方面，本发明实施例提供一种微发光二极管芯片，包括第一类型半导体层、发光层、第二类型半导体层、第一类型电极层、第二类型电极层和绝缘钝化层，其中，

所述第一类型半导体层、所述发光层、所述第二类型半导体层依次层叠设置；

所述第一类型电极层位于所述第一类型半导体层一侧的侧壁上并与所述第一类型半导体层欧姆接触；

所述绝缘钝化层覆盖所述第一类型半导体层的部分侧壁、所述第一类型电极层的侧壁和底面、所述发光层的侧壁、所述第二类型半导体层的侧壁和部分底面；

所述第二类型电极层覆盖所述绝缘钝化层，所述第二类型半导体层露出所述绝缘钝化层的部分底面与所述第二类型电极层欧姆接触。

作为本发明实施例微发光二极管芯片的一种改进，以垂直于出光面的平面为截面，所述第一类型半导体层、所述发光层、所述第二类型半导体层的截面形状为倒梯形。

作为本发明实施例微发光二极管芯片的一种改进，所述第一类型电极层和所述第二类型电极层为金属电极层。

作为本发明实施例微发光二极管芯片的一种改进，所述第一类型半导体层、所述发光层、所述第二类型半导体层的形状为圆台或棱台。

作为本发明实施例微发光二极管芯片的一种改进，所述第一类型电极层向远离所述第一类型半导体层的一侧水平延伸形成第一伸出部；所述第二类型电极层在向远离所述第一类型电极层的另一侧水平延伸形成第二伸出部。

作为本发明实施例微发光二极管芯片的一种改进，所述第一伸出部的顶面在竖直方向上与所述第二伸出部的顶面平齐。

作为本发明实施例微发光二极管芯片的一种改进，所述第一伸出部的顶面在竖直方向上与所述第一类型半导体层的顶面平齐。

作为本发明实施例微发光二极管芯片的一种改进，所述第一伸出部的顶面在竖直方向上高于所述第一类型半导体层的顶面。

作为本发明实施例微发光二极管芯片的一种改进，所述第一类型半导体层的顶面设置为粗糙表面。

与现有技术相比，本发明的实施例提供的微发光二极管芯片具有如下优点：