[发明专利]一种图像传感器

权利要求书

1.一种图像传感器，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底具有相对的第一表面以及第二表面；

所述衬底在靠近所述第二表面的一侧具有感光区，所述感光区用于接收入射光照射并产生带有第一电性和带有第二电性的光生载流子对；

所述衬底在靠近所述第一表面的一侧具有与所述感光区对应的传输沟道，所述传输沟道用于将带有第一电性的光生载流子传输至特定位置并从所述特定位置导出所述衬底；

在所述衬底的所述第二表面具有朝向所述第一表面延伸的第一沟槽，所述第一沟槽位于所述感光区的边缘，在所述第一沟槽内设置有用于加载第一电性电压的导体材料。

2.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述第一电性为负电，在所述导体材料上加载的所述第一电性电压的范围为-0.5～-3V。

3.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述第一沟槽的侧壁朝向所述感光区的方向倾斜。

4.根据权利要求3所述的图像传感器，其特征在于，所述第一沟槽的侧壁与所述第一表面的夹角范围为大于等于60°且小于90°。

5.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述第一沟槽在所述第二表面处的第一开口宽度的范围为0.1～0.8μm，所述第一沟槽底部在所述衬底内的第二开口宽度的范围为0.1～0.2μm，所述第一沟槽在所述衬底内的深度范围为0.1～2μm。

6.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述第一沟槽在所述第二表面处的第一开口宽度小于所述感光区的宽度。

7.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述导体材料包括以下至少一种：TiN-Ti-W叠层、TiN-Ti-Cu叠层、TiN-Ti-Al叠层。

8.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述导体材料在所述第二表面处的宽度范围为0.05～0.4μm，所述导体材料底部在所述衬底内的宽度范围为0.05～0.4μm，所述导体材料在所述衬底内的深度范围为0.09～1.8μm。

9.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，在所述第一沟槽内还设置有绝缘层，所述绝缘层用于将所述导体材料与所述衬底电性隔离。

10.根据权利要求9所述的图像传感器，其特征在于，所述绝缘层的材料包括氧化硅。

11.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，在所述衬底的所述第一表面还具有朝向所述第二表面延伸的第二沟槽，所述第二沟槽的位置与所述第一沟槽的位置相对应；所述第二沟槽为浅隔离沟槽STI，所述第一沟槽为深隔离沟槽DTI。

12.根据权利要求11所述的图像传感器，其特征在于，所述第一沟槽的底部与所述第二沟槽的底部在所述衬底内衔接。