[发明专利]射频线缆及电子设备

说明书

本申请提供一种射频线缆及电子设备。电子设备包括边框、第一电路板、第二电路板、射频线缆以及天线，射频线缆包括依次连接的第一连接座、导线及第二连接座，第一连接座连接第一电路板，第二连接座连接第二电路板，边框包括靠近射频线缆的第一边框，和远离射频线缆、与第一边框相对的第二边框，天线的辐射体包括第一边框的一部分或天线的辐射体固定于第一边框内侧；射频线缆还包括第一磁性件，第一磁性件固定于导线，第二连接座包括第二接地端，第一磁性件具有靠近第二连接座的第二端面，第二端面与第二接地端的中心点之间的直线距离在第一阈值的范围内，或者第二端面与第二接地端的末端之间的直线距离在第二阈值的范围内。

技术领域

本申请涉及天线技术领域，特别涉及一种射频线缆及电子设备。

背景技术

在电子设备内，射频线缆被广泛用于实现射频信号的传输。而随着电子设备内天线数量和支持频段的不断增加，天线的空间占用逐渐延伸至射频线缆附近区域。此时，当天线靠近射频线缆设置时，天线上的能量会一定程度地耦合到射频线缆上。由于射频线缆本身的环境封闭，耦合至射频线缆内的天线能量难以再次辐射，最终使得天线的天线效率显著下降。

发明内容

本申请提供一种能够避免天线效率显著下降的线缆及的电子设备。

第一方面，本申请提供了一种电子设备。电子设备包括边框、第一电路板、第二电路板、射频线缆以及天线。所述第一电路板及所述第二电路板均位于所述边框的内侧。一种实施方式中，所述第一电路板与所述第二电路板彼此间隔设置。所述射频线缆包括依次连接的第一连接座、导线及第二连接座。所述第一连接座连接所述第一电路板。所述第二连接座连接所述第二电路板。所述边框包括靠近所述射频线缆的第一边框，和远离所述射频线缆、与所述第一边框相对的第二边框。可以理解的是，所述边框包括相对设置的第一长边框及第二长边框和相对设置的第一短边框与第二短边框。所述第一短边框与所述第二短边框连接在所述第一长边框与所述第二长边框之间。所述第一边框可以为第一长边框，此时，第二边框为第二长边框。所述第一边框也可以为第一短边框。此时，所述第二边框为第二短边框。所述天线的辐射体包括所述第一边框的一部分。或者所述天线的辐射体固定连接于所述第一边框的内侧。可以理解的是，所述导线位于所述辐射体的周边。一种实施方式中，所述天线与所述导线之间的距离在0至10毫米的范围内。

此外，所述射频线缆还包括第一磁性件。所述第一磁性件固定于所述导线。所述第二连接座包括第二接地端，也即所述第二接地端接地。所述第一磁性件具有靠近所述第二连接座的第二端面。所述第二端面与所述第二接地端的中心点之间的直线距离在第一阈值的范围内，或者所述第二端面与所述第二接地端的末端之间的直线距离在第二阈值的范围内。

可以理解的是，当所述辐射体辐射出天线信号时，因为所述辐射体位于所述导线的周边，所以辐射出的天线信号部分耦合至所述射频线缆中，从而使得所述第二接地端附近的交变电流较大。此外，因为所述第二接地端的附近电流为交变电流，所以该交变电流能够产生第一交变磁场。

此时，当所述第一磁性件固定于所述导线上，且所述第一磁性件的所述第二端面至所述第二连接座的所述第二接地端的直线距离D在第一阈值的范围内，或者所述第二端面与所述第二接地端的末端之间的直线距离在第二阈值的范围内时，所述第一磁性件位于交变电流的所在区域内。此时，所述第一磁性件与交变电流相互作用，并产生能够阻碍第一交变磁场的第二交变磁场，也即第二交变磁场的方向与第一交变磁场的方向相反。因此，当第一交变磁场被削弱之后，所述第二接地端附近的交变电流将显著地降低，也即所述第二接地端附近的阻抗将显著的增大。此时，在所述第一磁性件的所在区域的阻抗值大致为Z＝R+jX_L＝ Aω(μ″+jμ′)，其中，A0、ω0、μ″≥0及μ′≥1。其中，A是与所述第一磁性件的材料长度、厚度相关的参量，ω＝2πf，f为天线信号的频率。μ″是所述第一磁性件的相对磁导率实部。μ^′是所述第一磁性件的相对磁导率虚部。而当所述第一磁性件未套设于部分所述导线上时，在所述第一磁性件的所在区域阻抗值大致为0，显然，当所述第一磁性件固定所述导线上时，所述第一磁性件的所在区域的阻抗值是显著增大的。