[发明专利]半导体器件和形成半导体器件的方法

说明书

提供了一种半导体器件。半导体器件可以包括半导体衬底，该半导体衬底包括有源区域，在有源区域上方的金属层结构，其中，金属层结构被配置为形成电触点，该金属层结构包括焊接区域、缓冲区域及焊接区域和缓冲区域之间的阻挡区域，其中，在阻挡区域中，金属层结构比在焊接区域和缓冲区域中更远离有源区域，并且其中，焊接区域和缓冲区域中的每个与有源区域直接接触或者与在有源区域和金属层结构之间布置的布线层结构直接接触。

技术领域

各种实施例总体上涉及半导体器件和形成半导体器件的方法。

背景技术

最近刚刚开发了在晶体管外形(TO)封装中使用铜(Cu)夹，其中将软焊料、扩散焊料或焊膏用于夹子(clip)附接。在夹子附接期间，焊料覆盖(在夹子下面)是关键工艺，其被控制以确保夹子下方的大于约80％被焊料覆盖。

这对于获得低R_DS(on)、高功率效率以及从源极焊盘到引线框架的良好互连是重要的。

然而，控制焊料渗出并同时确保夹子下的良好焊料覆盖是具有挑战性的。过量的焊料渗出可能污染焊盘，这可能在渗出的焊料到达附加的接合焊盘(触点)的情况下导致短路，并且可能在引线键合期间导致焊盘上的不粘焊。

在现有技术中，提供夹子和附加接合焊盘之间的间隙，以防止渗出的焊料到达附加的接合焊盘。

然而，这可能具有芯片尺寸增加的缺点。

相反，减小夹子尺寸导致高R_DS(on)、通过夹子的芯片冷却更差、关于安全操作区域(SOA)的性能更差、以及成本效率降低。

发明内容

提供了一种半导体器件。半导体器件可以包括半导体衬底，该半导体衬底包括有源区域，在有源区域上方的金属层结构，其中，金属层结构被配置为形成电触点，该金属层结构包括焊接区域、缓冲区域及焊接区域和缓冲区域之间的阻挡区域，其中，在阻挡区域中，金属层结构比在焊接区域和缓冲区域中更远离有源区域，并且其中，焊接区域和缓冲区域中的每个与有源区域直接接触或者与在有源区域和金属层结构之间布置的布线层结构直接接触。

附图说明

在附图中，相似的附图标记在全部不同视图中通常指代相同的部件。附图不一定按比例绘制，而是通常将重点放在说明本发明的原理上。在以下描述中，参考以下附图描述本发明的各种实施例，其中：

图1示出了根据现有技术的半导体器件；

图2A至2C各自示出了根据各种实施例的半导体器件的示意性截面图；

图3示出了根据各种实施例的半导体器件的阻挡结构的放大视图；

图4示出了根据各种实施例的半导体器件的钝化层的示意性顶视图；

图5A和图5B各自示出了根据各种实施例的半导体器件的钝化层的示意性顶视图；

图6示出了根据各种实施例的形成半导体器件的方法的流程图。

具体实施方式

以下具体实施方式参考了附图，附图通过图示的方式示出了可以实践本发明的具体细节和实施例。

本文使用词语“示例性”来表示“用作示例、实例或说明”。本文描述为“示例性”的任何实施例或设计不一定被解释为比其他实施例或设计更优选或更有优势。

关于在侧面或表面“上方”形成的沉积材料使用的词语“在……上方”可以在本文中用于表示沉积材料可以“直接”形成在隐含的侧面或表面上，例如直接接触。关于在侧面或表面“上方”形成的沉积材料使用的词语“在……上方”可以在本文中用于表示沉积材料可以“间接地”形成在隐含的侧面或表面上，其中在隐含的侧面或表面与沉积材料之间布置一个或多个附加层。