[发明专利]一种锑基杂化半导体材料及其合成与应用在审
| 申请号： | 201910948966.0 | 申请日： | 2019-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN110590646A | 公开（公告）日： | 2019-12-20 |
| 发明（设计）人： | 刘广宁;赵若愚;牛鹏飞;韦天慧;张洁;李村成 | 申请（专利权）人： | 济南大学 |
| 主分类号： | C07D213/18 | 分类号： | C07D213/18;H01L51/42 |
| 代理公司： | 37240 济南誉丰专利代理事务所(普通合伙企业) | 代理人： | 赵凤 |
| 地址： | 250022 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体材料 杂化物 杂化 合成 库仑相互作用力 导电性 半导体性能 溶剂热条件 无机阴离子 有机阳离子 可见光 苯基吡啶 反应原料 钙钛矿型 光电应用 光电转换 晶态产物 库仑作用 一步反应 有机杂化 共价键 光电导 光探测 可见区 氯化锑 循环性 构筑 非铅 氢键 锑基 照射 响应 应用 表现 | ||
【权利要求书】：
1.一种锑基无机-有机杂化半导体材料(3-phenylpyridin-1-ium)SbI4，其特征在于：该化合物结晶于单斜晶系，
2.一种权利要求1所述的锑基无机-有机杂化半导体材料的用途，其特征在于该化合物是一种杂化半导体材料，可利用其特性用于光电转换和光探测应用。
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