[发明专利]显示装置及显示装置的制造方法在审
申请号: | 201910949309.8 | 申请日: | 2019-10-08 |
公开(公告)号: | CN111009543A | 公开(公告)日: | 2020-04-14 |
发明(设计)人: | 梁东炫;柳仁卿;朱成培 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 张逍遥;刘灿强 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 制造 方法 | ||
提供了一种显示装置以及一种显示装置的制造方法。所述显示装置包括:像素电路;第一绝缘层,覆盖像素电路;第一阻挡件,设置在第一绝缘层上并且在第一方向上延伸;第二阻挡件,与第一阻挡件分开,在第一方向上延伸并且在基本垂直于第一方向的第二方向上与第一阻挡件间隔开;第一电极,设置在第一阻挡件上并且电连接到像素电路;第二电极,设置在第二阻挡件上并且与第一电极分开;第二绝缘层,设置在第一电极和第二电极上,并且研磨槽沿第二方向设置在第二绝缘层中;以及发光元件,在第二绝缘层上沿着研磨槽对齐且电连接到第一电极和第二电极。
本专利申请要求于2018年10月8日提交的第10-2018-0120035号韩国专利申请的优先权,该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。
技术领域
本公开在此涉及一种具有改善的可靠性的显示装置以及一种该显示装置的制造方法。
背景技术
显示装置可以包括发光元件。发光元件可以电连接到电极,并且根据施加到电极的电压发光。发光元件可以直接形成在电极上,或者与电极分开制成的发光元件可以连接到电极。当发光元件被分开形成并且接着连接到电极时,用于在电极上对齐发光元件的工艺是必须的。当发光元件未在电极上适当地对齐时,发光元件不会发光。
发明内容
本公开提供了一种具有改善的可靠性的显示装置以及一种所述显示装置的制造方法。
发明构思的示例性实施例提供了一种显示装置,所述显示装置包括:像素电路;第一绝缘层,覆盖像素电路;第一阻挡件,设置在第一绝缘层上并且在第一方向上延伸;第二阻挡件,在第一方向上延伸并且在基本垂直于第一方向的第二方向上与第一阻挡件间隔开;第一电极,设置在第一阻挡件上并且电连接到像素电路;第二电极,设置在第二阻挡件上并且与第一电极分开;第二绝缘层,设置在第一电极和第二电极上,并且研磨槽沿第二方向设置在第二绝缘层中;以及发光元件,在第二绝缘层上沿着研磨槽对齐并电连接到第一电极和第二电极,并且设置在第一阻挡件和第二阻挡件之间。
在示例性实施例中,第二绝缘层可以由聚酰亚胺类材料形成。
在示例性实施例中,发光元件的在第一方向上的宽度可以小于或等于研磨槽的在第一方向上的宽度。
在示例性实施例中,第一阻挡件和第二阻挡件之间的在第二方向上的距离可以大于第一电极和第二电极之间的在第二方向上的距离。
在示例性实施例中,第一电极和第二电极之间的在第二方向上的距离可以小于发光元件的在第二方向上的长度。
在示例性实施例中,第二绝缘层可以至少在第一阻挡件和第二阻挡件之间设置在第一电极、第一绝缘层和第二电极上。
显示装置还可以包括:第一连接电极,电连接第一电极和发光元件;以及第二连接电极,电连接第二电极和发光元件。
在示例性实施例中,第一电极可以包括电连接到像素电路并且包含第一反射材料的第一反射电极和覆盖第一反射电极的第一盖电极,并且第二电极可以包括被构造为接收电源电压并且包含反射材料的第二反射电极和覆盖第二反射电极的第二盖电极。
在发明构思的示例性实施例中,提供了一种显示装置的制造方法,所述制造方法包括下述步骤:在基体层上形成像素电路;形成覆盖像素电路的第一绝缘层;在第一绝缘层上形成在第一方向上延伸并在第二方向上彼此分开设置的第一阻挡件和第二阻挡件;在第一阻挡件上形成电连接到像素电路的第一电极并且在第二阻挡件上形成与第一电极分开的第二电极;在第一绝缘层、第一电极和第二电极上形成绝缘材料层;沿第二方向在绝缘材料层上形成研磨槽以形成第二绝缘层;在第一阻挡件和第二阻挡件之间将发光元件设置在第二绝缘层上;以及沿着研磨槽对齐发光元件。
在示例性实施例中,形成第二绝缘层的步骤可以包括:在绝缘材料层上设置研磨辊,研磨布缠绕在研磨辊周围;以及在使研磨辊滚动的同时在第二方向上移动研磨辊以沿第二方向形成研磨槽。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的