[发明专利]单层电容性图像传感器

权利要求书

1.一种电容性传感器阵列，包括：

第一发射器电极，其耦合到第一发射器信道并且设置在所述电容性传感器阵列的第一行和第一列中；

多个第一接收器电极，其与所述第一发射器电极相邻设置在所述电容性传感器阵列的所述第一行和第二列中，其中所述第一接收器电极中的每个耦合到多个第一接收器信道中的相应一个；

第二发射器电极，其耦合到第二发射器信道并且设置在所述电容性传感器阵列的所述第一行和第三列中；以及

多个第二接收器电极，其与所述第二发射器电极相邻设置在所述电容性传感器阵列的所述第一行和第四列中，其中所述第二接收器电极中的每个耦合到所述第一接收器信道中的相应一个。

2.根据权利要求1所述的电容性传感器阵列，其中所述多个第一接收器信道配置成：

当激活所述第一发射器信道时，感测所述第一发射器电极与所述多个第一接收器电极之间的电容性耦合；以及

当激活所述第二发射器信道时，感测所述第二发射器电极与所述多个第二接收器电极之间的电容性耦合。

3.根据权利要求1所述的电容性传感器阵列，还包括：

第三发射器电极，其耦合到所述第一发射器信道并且设置在所述电容性传感器阵列的所述第一行和第五列中；以及

多个第三接收器电极，其与所述第三发射器电极相邻设置在所述电容性传感器阵列的所述第一行和第六列中，其中所述第三接收器电极中的每个耦合到多个第二接收器信道中的相应一个。

4.根据权利要求3所述的电容性传感器阵列，其中所述第三发射器电极相邻于所述多个第一接收器电极。

5.根据权利要求3所述的电容性传感器阵列，还包括：

第四发射器电极，其耦合到所述第二发射器信道并且设置在所述电容性传感器阵列的所述第一行和第七列中；以及

多个第四接收器电极，其与所述第四发射器电极相邻设置在所述电容性传感器阵列的所述第一行和第八列中，其中所述第四接收器电极中的每个耦合到多个第三接收器信道中的相应一个。

6.根据权利要求5所述的电容性传感器阵列，其中所述多个第三接收器电极还相邻于所述第二或第四发射器电极中的一个，并且其中耦合到所述第三接收器信道的所述接收器电极都不相邻于耦合到所述第一发射器信道的任何发射器电极。

7.根据权利要求1所述的电容性传感器阵列，还包括：

第三发射器电极，其耦合到第三发射器信道并且设置在所述电容性传感器阵列的第二行和所述第一列中；

多个第三接收器电极，其与所述第三发射器电极相邻设置在所述电容性传感器阵列的所述第二行和所述第二列中，其中所述第三接收器电极中的每个耦合到所述第一接收器信道中的相应一个；

第四发射器电极，其耦合到第四发射器信道并且设置在所述电容性传感器阵列的所述第二行和所述第三列中；以及

多个第四接收器电极，其与所述第四发射器电极相邻设置在所述电容性传感器阵列的所述第二行和所述第四列中，其中所述第四接收器电极中的每个耦合到所述第一接收器信道中的相应一个。

8.根据权利要求1所述的电容性传感器阵列，其中耦合到所述电容性传感器阵列的接收器信道的数量至少部分地基于耦合到每个发射器信道的发射器电极的最大数量（m）和设置在所述电容性传感器阵列中的每个发射器电极对之间的接收器电极的数量（n）。

9.根据权利要求8所述的电容性传感器阵列，其中接收器信道的所述数量等于n+n*m。