[发明专利]IGZO薄膜晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种IGZO薄膜晶体管的制造方法，包括：

获取基底；

通过溶液工艺在所述基底上形成IGZO层；

通过自旋掺杂工艺在所述IGZO层表面掺杂V族杂质；

在所述IGZO层的一侧形成源极、另一侧形成漏极，并在所述掺杂后的IGZO层上形成栅介电层；

在所述栅介电层上形成栅极。

2.根据权利要求1所述的IGZO薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述通过自旋掺杂工艺在所述IGZO层表面掺杂V族杂质的步骤使用的掺杂剂含有磷元素。

3.根据权利要求1所述的IGZO薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述通过溶液工艺在所述基底上形成IGZO层的步骤包括：

制作IGZO前体溶液；

将所述IGZO前体溶液旋涂于所述基底上。

4.根据权利要求3所述的IGZO薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，还包括对旋涂了所述IGZO前体溶液的基底进行热退火处理的步骤。

5.根据权利要求3所述的IGZO薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述制作IGZO前体溶液的步骤包括：

将硝酸铟水合物、硝酸锌水合物、硝酸镓水合物溶解于2-甲氧基乙醇溶剂中并进行搅拌；

将搅拌后的液体进行过滤得到所述IGZO前体溶液。

6.根据权利要求5所述的IGZO薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述过滤是使用0.2微米厚的聚四氟乙烯滤膜进行。

7.根据权利要求5所述的IGZO薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述将硝酸铟水合物、硝酸锌水合物、硝酸镓水合物溶解于2-甲氧基乙醇溶剂中的步骤中，硝酸铟水合物、硝酸锌水合物、硝酸镓水合物的摩尔比是6：1：1。

8.根据权利要求1-7中任一项所述的IGZO薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述通过自旋掺杂工艺在所述IGZO层表面掺杂V族杂质的步骤后还包括对所述IGZO层进行烘干处理及紫外光退火处理的步骤。

9.一种IGZO薄膜晶体管，其特征在于，包括：

基底；

IGZO层，设于所述基底上，所述IGZO层是通过溶液工艺形成，所述IGZO层包括沟道区，所述沟道区的表面通过自旋掺杂工艺掺杂有V族杂质；

源极，形成于所述IGZO层的一侧；

漏极，形成于所述IGZO层的另一侧；

栅介电层，形成于所述IGZO层上；

栅极，形成于所述栅介电层上。

10.根据权利要求9所述的IGZO薄膜晶体管，其特征在于，所述基底包括半导体衬底和所述半导体衬底上的绝缘氧化层。

11.根据权利要求9所述的IGZO薄膜晶体管，其特征在于，所述源极包括覆盖所述IGZO层的一侧边缘的ITO源极，所述漏极包括部分覆盖所述IGZO层的另一侧边缘的ITO漏极，所述栅介电层从所述IGZO层的沟道区表面延伸至所述ITO源极上和ITO漏极上，所述栅介电层的材质包括氧化铝，所述栅极包括ITO栅极。