[发明专利]掩膜板坯料、相移掩膜板及半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种掩膜板坯料，其在透光性基板上设有相移膜，所述掩膜板坯料的特征在于，

所述相移膜以1％以上30％以下的透光率使ArF曝光光透过，且具有使透过所述相移膜的ArF曝光光，在与通过了与所述相移膜厚度为相同距离的空气中的ArF曝光光之间，产生170度以上190度以下的相位差的功能，

所述相移膜具有层叠了第一硅含有层及第二硅含有层的结构，

所述第一硅含有层及所述第二硅含有层由以硅及氮形成的材料形成，或者由含有从半金属元素、非金属元素以及稀有气体中选择的一种以上元素和硅及氮形成的材料形成，

所述第一硅含有层及所述第二硅含有层含有氮，

所述第一硅含有层与所述第二硅含有层相比，氮含量相对少。

2.如权利要求1所述的掩膜板坯料，其特征在于，所述第一硅含有层由对ArF曝光光的折射率n不足2.5，且消光系数k为1.0以上的材料形成，

所述第二硅含有层由对ArF曝光光的折射率n为2.5以上，且消光系数k不足1.0的材料形成。

3.如权利要求1或2所述的掩膜板坯料，其特征在于，所述第二硅含有层的厚度比所述第一硅含有层的厚度厚。

4.如权利要求1或2所述的掩膜板坯料，其特征在于，所述第一硅含有层及所述第二硅含有层由相同的构成元素形成。

5.如权利要求1或2所述的掩膜板坯料，其特征在于，所述第一硅含有层及所述第二硅含有层的氧含有量在10原子％以下。

6.如权利要求1或2所述的掩膜板坯料，其特征在于，由一层所述第一硅含有层与一层所述第二硅含有层形成一组层叠结构，所述相移膜具有两组以上的所述层叠结构。

7.如权利要求1或2所述的掩膜板坯料，其特征在于，所述相移膜具有与所述透光性基板相接着、且按照所述第二硅含有层、所述第一硅含有层的顺序层叠的结构。

8.如权利要求1或2所述的掩膜板坯料，其特征在于，所述第一硅含有层及所述第二硅含有层在任一层中一层的厚度都在20nm以下。

9.如权利要求1或2所述的掩膜板坯料，其特征在于，所述相移膜在距离所述透光性基板最远的位置上具有最上层，所述最上层由以硅、氮及氧形成的材料形成，或者由在该材料中含有从半金属元素、非金属元素及稀有气体中选择的一种以上元素的材料形成。

10.如权利要求9所述的掩膜板坯料，其特征在于，所述最上层由以硅、氮、以及氧形成的材料形成。

11.一种相移掩膜板，其特征在于，在权利要求1～10中任一项所述的掩膜板坯料的所述相移膜设有转印图案。

12.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，具有使用权利要求11所述的相移掩膜板，将所述转印图案曝光转印到半导体基板上的光刻胶膜的工序。