[发明专利]半导体元件的制造方法在审
| 申请号： | 201910950373.8 | 申请日： | 2019-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN111128883A | 公开（公告）日： | 2020-05-08 |
| 发明（设计）人： | 江宏礼;郑兆钦;陈自强;陈奕升 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体元件的制造方法，其特征在于，该方法包含：
形成一鳍结构在一基板上方；
形成具有一第一阈值电压的多个多晶硅栅极结构在该鳍结构的多个第一鳍部分上方；
形成具有一第一类型导电性的掺杂剂的多个掺杂的鳍区域在该鳍结构的多个第二鳍部分上方；
以一第二类型导电性的掺杂剂掺杂该多个多晶硅栅极结构中的至少一个多晶硅栅极结构，使该第一阈值电压调节为较大的一第二阈值电压；以及
以具有小于该第一阈值电压及该第二阈值电压的一第三阈值电压的多个高介电常数金属栅极结构来替代与该多个多晶硅栅极结构中的该至少一个多晶硅栅极结构邻近的该多个多晶硅栅极结构中的该至少两个多晶硅栅极结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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