[发明专利]一种片上系统

权利要求书

1.一种片上系统，其特征在于，包括：电源引脚、接地引脚、防静电支路和滤波支路，其中，所述电源引脚和所述接地引脚用于连接外部电源，所述防静电支路和所述滤波支路分别连接在所述电源引脚和所述接地引脚之间；

其中，所述防静电支路包括防静电元件和防反接元件，所述防静电元件连接所述接地引脚，且通过所述防反接元件而连接至所述电源引脚；

当所述片上系统正常工作时，所述防静电元件藉由导通的所述防反接元件而对所述电源引脚执行静电保护；而当所述外部电源反接在所述片上系统的所述电源引脚与所述接地引脚之间时，所述防反接元件截止以避免反接的所述外部电源藉由所述防静电元件而使所述外部电源的正负极直连。

2.根据权利要求1所述的片上系统，其特征在于，所述防反接元件包括二极体，而所述防静电元件包括场效应晶体管，其中，所述二极体的正极连接所述电源引脚，所述二极体的负极连接所述场效应晶体管的第一源漏极，所述场效应晶体管的第二源漏极连接所述接地引脚。

3.根据权利要求2所述的片上系统，其特征在于，所述片上系统进一步包括：

P型衬底；

第一阱区，形成在所述P型衬底内；

第一P型重掺杂区，形成在所述第一阱区内；

第一N型重掺杂区，形成在所述第一阱区内；

其中，所述第一P型重掺杂区、所述第一阱区和所述第一N型重掺杂区构成所述二极体，且所述二极体的正极设置在所述第一P型重掺杂区之上，而所述二极体的负极设置在所述第一N型重掺杂区之上。

4.根据权利要求3所述的片上系统，其特征在于，所述第一阱区为N型阱区，且作为所述第一阱区的所述N型阱区形成在所述P型衬底内。

5.根据权利要求3所述的片上系统，其特征在于，所述第一阱区为P型阱区，且所述片上系统进一步包括N型阱隔离区，其中，所述N型阱隔离区形成在所述P型衬底内，而作为所述第一阱区的所述P型阱区形成在所述N型阱隔离区内。

6.根据权利要求3所述的片上系统，其特征在于，所述场效应晶体管为N型晶体管，而所述场效应晶体管的栅极连接所述接地引脚。

7.根据权利要求6所述的片上系统，其特征在于，所述片上系统进一步包括：

第二阱区，形成在所述P型衬底内，所述第二阱区为P型阱区；

第一源漏区，形成在所述第二阱区内；

第二源漏区，形成在所述第二阱区内；

第二P型重掺杂区，形成在所述第二阱区内；

绝缘层，设置在所述P型衬底上；

其中，所述场效应晶体管的栅极设置在所述绝缘层上且位于所述第一源漏区和所述第二源漏区之间，以构成所述N型晶体管；所述场效应晶体管的第一源漏极连接且位于所述第一源漏区上，所述场效应晶体管的第二源漏极连接且位于所述第二源漏区上，而所述场效应晶体管的基底极连接且位于所述第二P型重掺杂区上。

8.根据权利要求7所述的片上系统，其特征在于，所述场效应晶体管的第二源漏极与基底极连接在一起。

9.根据权利要求1所述的片上系统，其特征在于，所述滤波支路包括串联在所述电源引脚与所述接地引脚的电阻和电容。

10.根据权利要求1所述的片上系统，其特征在于，所述防反接元件包括第一二极体，而所述防静电元件包括第二二极体，其中，所述第一二极体的正极连接所述电源引脚，所述第一二极体的负极连接所述第二二极体的负极，而所述第二二极体的正极连接所述接地引脚。