[发明专利]一种高质量自支撑氮化物衬底的制备方法及生长结构在审
| 申请号： | 201910950441.0 | 申请日： | 2019-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN110729182A | 公开（公告）日： | 2020-01-24 |
| 发明（设计）人： | 徐俞;王建峰;徐科 | 申请（专利权）人： | 苏州纳维科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;C23C16/34;C23C16/02 |
| 代理公司： | 32293 苏州国诚专利代理有限公司 | 代理人： | 杨淑霞 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮化物厚膜 石墨烯层 二维材料 氮化物 自支撑 衬底 基板 表面生长 去除 平整 研磨抛光处理 单层结构 机械剥离 界面处 石墨烯 单层 制备 | ||
1.一种高质量自支撑氮化物衬底的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供一基板，在该基板上形成具有极性的二维材料层；
在二维材料层上形成一层石墨烯层，该石墨烯层为单层结构；
在单层的石墨烯层的表面生长氮化物厚膜；
通过机械剥离的方式去除基板；
通过研磨抛光处理的方式去除二维材料层和石墨烯层，并获得平整的氮化物厚膜，该平整的氮化物厚膜即为自支撑氮化物衬底。
2.根据权利要求1所述的一种高质量自支撑氮化物衬底的制备方法，其特征在于，所述二维材料层为单层或多层结构。
3.根据权利要求1所述的一种高质量自支撑氮化物衬底的制备方法，其特征在于，所述二维材料层的材料为氮化硼、二硫化钼、二硫化钨中的一种。
4.根据权利要求1所述的一种高质量自支撑氮化物衬底的制备方法，其特征在于，所述氮化物厚膜是通过HVPE、MOCVD或MBE工艺形成。
5.根据权利要求1所述的一种高质量自支撑氮化物衬底的制备方法，其特征在于，所述氮化物厚膜的厚度为200～1000微米。
6.根据权利要求1所述的一种高质量自支撑氮化物衬底的制备方法，其特征在于，所述氮化物厚膜的材料选自氮化镓、氮化铝、氮化铟中的一种或两种以上的组合。
7.根据权利要求1所述的一种高质量自支撑氮化物衬底的制备方法，其特征在于，所述氮化物厚膜的位错密度低于105cm-2。
8.一种高质量自支撑氮化物衬底的生长结构，其特征在于，包括一基板，该基板上生长有具有极性的二维材料层，该二维材料层上生长有一层石墨烯层，该石墨烯层为单层结构，该单层的石墨烯层的表面生长有氮化物厚膜。
9.根据权利要求8所述的一种高质量自支撑氮化物衬底的生长结构，其特征在于，所述二维材料层为单层或多层结构。
10.根据权利要求8所述的一种高质量自支撑氮化物衬底的生长结构，其特征在于，所述氮化物厚膜的厚度为200～1000微米。
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