[发明专利]一种电容在审
| 申请号： | 201910950514.6 | 申请日： | 2019-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN110571051A | 公开（公告）日： | 2019-12-13 |
| 发明（设计）人： | 靳北彪 | 申请（专利权）人： | 熵零技术逻辑工程院集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01G4/005 | 分类号： | H01G4/005;H01G4/008;H01G4/08;H01G4/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100101 北京市朝*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 多孔导电体 电容 绝缘介质 电化学 功能需求 设置结构 敷设 体积小 可用 发电 应用 | ||
1.一种电容，包括多孔导电体A(1)和多孔导电体B(2)，其特征在于：在所述多孔导电体A(1)的一侧敷设绝缘介质(3)，所述多孔导电体B(2)与所述绝缘介质(3)对应设置形成所述多孔导电体A(1)、绝缘介质(3)和所述多孔导电体B(2)依次对应设置结构。
2.如权利要求1所述电容，其特征在于：所述多孔导电体A(1)和所述多孔导电体B(2)中的至少一个设为电化学区域，所述电化学区域与氧化剂供送通道和/或还原剂供送通道连通设置。
3.一种电容，包括多孔导电体A(1)和多孔导电体B(2)，其特征在于：在所述多孔导电体A(1)的一侧渗孔敷设绝缘介质(3)，所述多孔导电体B(2)与所述绝缘介质(3)对应设置形成所述多孔导电体A(1)、绝缘介质(3)和所述多孔导电体B(2)依次对应设置结构。
4.如权利要求3所述电容，其特征在于：所述多孔导电体A(1)和所述多孔导电体B(2)中的至少一个设为电化学区域，所述电化学区域与氧化剂供送通道和/或还原剂供送通道连通设置。
5.如权利要求1至4中任一项所述电容，其特征在于：所述多孔导电体A(1)和/或所述多孔导电体B(2)设为石墨烯、多孔碳材料、微米多孔导电材料或设为纳米多孔导电材料。
6.一种电容，包括多孔导电薄膜A(4)和多孔导电薄膜B(5)，其特征在于：在所述多孔导电薄膜A(4)的一侧敷设绝缘介质(3)，所述多孔导电薄膜B(5)与所述绝缘介质(3)对应设置形成所述多孔导电薄膜A(4)、绝缘介质(3)和所述多孔导电薄膜B(5)依次对应设置结构。
7.如权利要求6所述电容，其特征在于：所述多孔导电薄膜A(4)和多孔导电薄膜B(5)中的至少一个设为电化学区域，所述电化学区域与氧化剂供送通道和/或还原剂供送通道连通设置。
8.一种电容，包括多孔导电薄膜A(4)和多孔导电薄膜B(5)，其特征在于：在所述多孔导电薄膜A(4)的一侧渗孔敷设绝缘介质(3)，所述多孔导电薄膜B(5)与所述绝缘介质(3)对应设置形成所述多孔导电薄膜A(4)、绝缘介质(3)和所述多孔导电薄膜B(5)依次对应设置结构。
9.如权利要求8所述电容，其特征在于：所述多孔导电薄膜A(4)和多孔导电薄膜B(5)中的至少一个设为电化学区域，所述电化学区域与氧化剂供送通道和/或还原剂供送通道连通设置。
10.如权利要求6至9中任一项所述电容，其特征在于：所述多孔导电薄膜A(4)和/或所述多孔导电薄膜B(5)设为石墨烯、多孔碳材料、微米多孔导电材料或设为纳米多孔导电材料。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于熵零技术逻辑工程院集团股份有限公司，未经熵零技术逻辑工程院集团股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910950514.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：电容器和质量谐振板的质量确定方法
- 下一篇：电子部件
