[发明专利]一种SiC缺陷的检测方法和系统

说明书

本申请公开了一种SiC缺陷的检测方法和系统，方法包括：控制显微镜镜头移动，并拍摄有关待检测SiC片的多张图像；将所述多张图像作为输入样本，将所述输入样本发送给预先训练好的神经网络；所述神经网络以各所述输入样本为输入，输出所述待检测SiC片存在的缺陷数量以及缺陷位置。本申请能够提高SiC缺陷的检测结果的精准度。

技术领域

本申请涉及图像处理领域，尤其涉及一种SiC缺陷的检测方法和系统。

背景技术

随着市场端对半绝缘碳化硅(SiC)单晶衬底的需求数量不断扩大，碳化硅单晶衬底的生产厂家在对于SiC的质量要求也提出了更高的要求。

评价SiC微管的主要方法是对SiC微管表面的缺陷进行表征。目前对SiC的微管缺陷的表征是通过测试人员在显微镜下肉眼观察检测。将SiC晶体的被测表面划分为若干正方形小区域，并对各个小区域进行编号；取区域的中心点作为测量点，用显微镜测量并记录每个视野区域的微管个数，得到视野面积内SiC晶片被测表面的微管总数，进而得到整个SiC晶片的微管密度。

但是要检测完整一块4英寸的晶圆，在显微镜的可清楚观察微管缺陷的放大倍数下，测试人员需要完成对在一个晶圆上数百个视野区域的缺陷进行标定，此外测试人员还要进行视野移动、对焦和最后在图纸上的标注等操作，整个过程费时费力且容易出错，从而降低了检测结果的精准度。

发明内容

为了解决上述问题，本申请提出了一种SiC缺陷的检测方法和系统，能够提高检测结果的精准度。

第一方面，本申请实施例提供了一种SiC缺陷的检测方法，包括：

控制显微镜镜头移动，并拍摄有关待检测SiC片的多张图像；

将所述多张图像作为输入样本，将所述输入样本发送给预先训练好的神经网络；

所述神经网络以各所述输入样本为输入，输出所述待检测SiC片存在的缺陷数量以及缺陷位置。

在一个示例中，所述有关待检测SiC片的图像包括以下任意一项：所述待检测SiC片的纹理边界线、所述待检测SiC片的切割痕迹线。

在一个示例中，通过图像识别，确定所述待检测SiC片的纹理线条的脊特征和/或所述待检测SiC片的切割痕迹线的脊特征；

对所述脊特征进行膨胀操作，得到各所述区域对应的输入样本。

在一个示例中，所述有关待检测SiC片的图像包括用于将所述图像分割成多个区域的第一线条；

将由所述第一线条分割所述图像而得到的多个区域进行编号。

在一个示例中，通过图像识别，确定各所述区域中包含的所述第一线条的脊特征，以及确定各所述区域中包含的第二线条的脊特征，所述第二线条为所述待检测SiC片的纹理边界线和所述待检测SiC片的切割痕迹线；

对所述第一线条的脊特征和所述第二线条的脊特征进行膨胀操作，得到各所述区域对应的输入样本。

在一个示例中，将各所述输入样本和各所述区域编号，发送给预先训练好的神经网络。

在一个示例中，所述神经网络以各所述输入样本和各所述区域编号为输入，输出所述待检测SiC片存在的缺陷数量以及缺陷位置。

在一个示例中，沿着所述显微镜镜头的移动轨迹，控制所述显微镜镜头在三维坐标系的X轴方向上和Y轴方向上移动预设距离；所述三维坐标系的X轴为所述待检测SiC片的直线边，所述Y轴为在所述待检测SiC片所在平面内所述直线边的垂直平分线；

通过所述显微镜镜头拍摄的所述待检测SiC片的图像，实时调整所述显微镜镜头在所述三维坐标系中Z轴方向上移动，得到清晰度在预设范围内的所述图像，所述Z轴与所述SiC平面垂直。