[发明专利]一种高质量自支撑GaN衬底的制备方法及生长结构有效
| 申请号： | 201910951222.4 | 申请日： | 2019-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN110707002B | 公开（公告）日： | 2022-07-05 |
| 发明（设计）人： | 徐俞;王建峰;徐科 | 申请（专利权）人： | 苏州纳维科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/78;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 苏州国诚专利代理有限公司 32293 | 代理人： | 杨淑霞 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 质量 支撑 gan 衬底 制备 方法 生长 结构 | ||
1.一种高质量自支撑GaN衬底的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供二维材料基板；
在二维材料基板表面生长AlN柱，形成位于二维材料基板上的AlN柱层；
在AlN柱层上生长GaN厚膜；
通过机械剥离的方式去除二维材料基板；
通过研磨抛光处理的方法去除AlN柱层，并获得平整的GaN厚膜，该GaN厚膜即为自支撑GaN衬底；
所述GaN厚膜的位错密度低于105cm-2。
2.根据权利要求1所述的一种高质量自支撑GaN衬底的制备方法，其特征在于，所述二维材料基板为多层结构。
3.根据权利要求1所述的一种高质量自支撑GaN衬底的制备方法，其特征在于，所述二维材料基板的材料为二硫化钼、二硫化钨、石墨烯中的一种。
4.根据权利要求1所述的一种高质量自支撑GaN衬底的制备方法，其特征在于，所述AlN柱是通过HVPE、MOCVD或MBE工艺形成。
5.根据权利要求1所述的一种高质量自支撑GaN衬底的制备方法，其特征在于，所述GaN厚膜是通过HVPE工艺形成。
6.一种利用权利要求1至5任一项所述的制备方法制得的高质量自支撑GaN衬底的生长结构，其特征在于，包括二维材料基板，二维材料基板的表面生长有AlN柱，AlN柱形成位于二维材料基板上的AlN柱层，AlN柱层上生长有GaN厚膜。
7.根据权利要求6所述的一种高质量自支撑GaN衬底的生长结构，其特征在于，所述AlN柱为AlN纳米柱或AlN微米柱。
8.根据权利要求6所述的一种高质量自支撑GaN衬底的生长结构，其特征在于，所述AlN柱层的厚度为100~1000纳米。
9.根据权利要求6所述的一种高质量自支撑GaN衬底的生长结构，其特征在于，所述GaN厚膜的厚度为200~1000微米。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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