[发明专利]磁性隧道结结构及磁性随机存储器

说明书

本申请提供一种磁性隧道结结构及磁性随机存储器，所述磁性隧道结结构包括双层结构的自由层，两自由层之间由非磁性金属氧化物形成的垂直各向异性增强层，以及设置于自由层上方的磁阻尼阻挡层。本申请的具有双自由层和磁阻尼阻挡层的磁性隧道结结构单元，增强了器件的热稳定性，降低了阻尼系数，有利于写电流的降低。

技术领域

本发明涉及存储器技术领域，特别是关于一种磁性隧道结结构及磁性随机存储器。

背景技术

磁性随机存储器(Magnetic random access memory，MRAM)在具有垂直各向异性(Perpendicular Magnetic Anisotropy；PMA)的磁性隧道结(Magnetic tunnel junction；MTJ)中，作为存储信息的自由层，在垂直方向拥有两个磁化方向，即：向上和向下，分别对应二进制中的“0”和“1”或者“1”和“0”，在实际应用中，在读取信息或者空置的时候，自由层的磁化方向会保持不变；在写的过程中，如果与现有状态不相同的信号输入时，则自由层的磁化方向将会在垂直方向上发生一百八十度的翻转。磁随机存储器的自由层磁化方向保持不变的能力叫做数据保存能力(Data Retention)或者是热稳定性因子(Thermal StabilityFactor)(▽)，在不同的应用情况中要求不一样，对于一个典型的非易失存储器(Non-volatile Memory，NVM) 而言，数据保存能力要求是在125℃的条件下可以保存数据十年，在外磁场翻转，热扰动，电流扰动或读写多次操作时，都会造成数据保持能力或者是热稳定性的降低。

为了提高磁性随机存储器的存储密度，近年来，磁性隧道结的关键尺寸(CriticalDimension)越来越小。当尺寸进一步缩小时，会发现磁性隧道结的热稳定性因子(▽)急剧变差。为提升超小型MRAM单元器件的热稳定性因子(▽)，可以通过降低自由层的厚度，在自由层里添加或把自由层改为低饱和磁化率的材料等一些列措施来增加有效垂直有效各向异性能量密度，进而维持较高的热稳定性因子(▽)，但磁性隧道结的隧穿磁阻率 (TunnelMagnetoresistance Ratio，TMR)将会降低，进而增加存储器读操作的错误率。

发明内容

为了解决上述技术问题，本申请的目的在于，提供一种通过双层自由层设计与非磁性垂直各向异性增强层的磁性隧道结结构及磁性随机存储器。

本申请的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。

依据本申请提出的一种磁性隧道结结构，其由上至下结构包括覆盖层(CappingLayer，CL)、磁阻尼阻挡层、自由层(Free Layer，FL)、势垒层(Tunneling Barrier Layer，TBL)、参考层(Reference Layer，RL)、晶格隔断层(Crystal Breaking Layer，CBL)、反铁磁层 (Synthetic Anti-Ferromagnet Layer，SyAF)与种子层(Seed Layer；SL)，其中，所述自由层包括：第一自由层，为可变磁极化层，所述第一自由层为磁性金属合金所形成；垂直各向异性增强层，设置于所述第一自由层上，所述垂直各向异性增强层为非磁性金属氧化物形成；第二自由层，设置于所述垂直各向异性增强层上，所述第二自由层为可变磁极化层，由非磁性掺杂元素金属合金或其化合物所形成；所述磁阻尼阻挡层，设置于所述第二自由层上，所述磁阻尼阻挡层由非磁性金属或其氧化物形成；其中，所述垂直各向异性增强层用于实现所述第一自由层与第二自由层的磁性耦合；所述磁阻尼阻挡层有利于调降整个膜层结构的阻尼系数。

本申请解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。