[发明专利]一种Ta-W合金材料及其制备方法在审
申请号: | 201910951427.2 | 申请日: | 2019-10-08 |
公开(公告)号: | CN110669973A | 公开(公告)日: | 2020-01-10 |
发明(设计)人: | 王占锋;李继东;梁宏裕;田伊;张力力;卢成;常攀 | 申请(专利权)人: | 西安华山金属制品有限公司 |
主分类号: | C22C27/02 | 分类号: | C22C27/02;C22C1/03 |
代理公司: | 11390 北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人: | 胡剑辉 |
地址: | 710500 陕西省西安市*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 制备 中间合金 半成品 电子束区域 电子束熔炼 抗氧化性能 质量百分比 电弧熔炼 极端环境 室温塑性 铸锭切割 电极 熔炼 超高温 棒材 铸锭 打磨 破碎 冷却 压制 加工 应用 | ||
1.一种Ta-W合金材料及其制备方法,其特征在于,由以下质量百分比的成分组成:W2%~15%,ZrB2 0.6%~2%,C 0.1%~0.5%,余量为Ta和不可避免的杂质;所述的Ta为粉状;其制备方法为:(1)、将纯W、纯ZrB2和纯C放入非自耗真空电弧熔炼炉里;先抽真空至小于1×10-4Pa,然后充入氩气,在氩气保护下,在熔炼温度为3300~3600℃下反复熔炼1~3次,得到成分均匀的W-ZrB2-C中间合金;
(2)、机械破碎W-ZrB2-C中间合金,与Ta粉混合均匀,压制成电极;
(3)、将步骤(2)中所述电极置于电子束熔炼炉中,在真空度小于5×10-3Pa的条件下电子束熔炼2~4次,冷却后得到铸锭,然后将所述铸锭切割加工成半成品棒材;所述电子束熔炼的熔炼电流为1.2A~1.6A,熔炼电压为60kV~80kV。
(4)、对步骤(3)中所述半成品棒材进行打磨去除表面氧化皮,打磨后将所述半成品棒材在真空度小于1×10-3Pa的条件下进行电子束区域熔炼,冷却后得到Ta-W合金材料;所述电子束区域熔炼的熔炼电流为0.6A~1.2A,熔炼电压为40kV~60kV。
2.根据权利要求1所述的一种Ta-W合金材料,其特征在于,一种Ta-W合金材料,由以下质量百分比的成分组成:W 4%~12%,ZrB2 1%~1.6%,C 0.2%~0.4%,余量为Ta和不可避免的杂质。
3.根据权利要求1所述的一种Ta-W合金材料及其制备方法,其特征在于,由以下质量百分比的成分组成:W 8.5%,ZrB2 1.3%,C 0.3%,余量为Ta和不可避免的杂质。
4.根据权利要求1所述的一种Ta-W合金材料的制备方法,其特征在于,所述的步骤(1)中W的质量纯度不小于98%,ZrB2的质量纯度不小于98%,C的质量纯度不小于98%,Ta的质量纯度不小于99%。
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