[发明专利]一种近红外可调谐窄带滤波器

权利要求书

1.一种近红外可调谐窄带滤波器，其特性在于，包括衬底层，位于衬底层上的依次叠合薄膜层和光栅层；其中，衬底层为低折射率电介质材料，薄膜层和光栅层为高折射率电介质材料；所述光栅层的衍射效应产生的衍射波，在薄膜层内形成导模共振；光栅层与入射光相互作用时，由电偶极、磁偶极与电四极共振模式耦合造成窄线宽反射；

其中，所述薄膜层和光栅层的材料相同，并且所述薄膜层的厚度根据具体应用需要的反射峰值波长进行调节，所述薄膜层厚度调节范围为180-220nm；

所述光栅层为周期排列的二维纳米环阵列，使得滤波器对入射光的偏振状态不敏感,而且滤波器峰值波长以及线宽对阵列单元的尺寸不敏感；并且，所述滤波器通过调节纳米环的宽度来满足具体应用需要的反射峰线宽，所述的纳米环阵列单元为外半径160-210nm，内半径120-170nm，高度150-230nm的纳米环；所述滤波器的峰值波长通过调节纳米环阵列的周期实现近线性调谐；所述纳米环阵列的周期调节范围为600-800nm。

2.根据权利要求1所述的近红外可调谐窄带滤波器，其特征在于，所述高折射率电介质材料为硅，低折射率电介质材料为二氧化硅。