[发明专利]一种无线充电用聚偏氟乙烯基超薄覆盖膜的制备方法在审

专利信息
申请号: 201910951681.2 申请日: 2019-10-09
公开(公告)号: CN110699852A 公开(公告)日: 2020-01-17
发明(设计)人: 余滕 申请(专利权)人: 余滕
主分类号: D04H1/4382 分类号: D04H1/4382;D01D5/00;D01D1/02;D01F1/10;D01F8/10;D01F8/14
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 235065 安徽省淮*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 聚偏氟乙烯 无线充电 覆盖膜 制备 聚偏氟乙烯膜 氟原子取代 化学稳定性 抗紫外线性 耐老化性能 紫外线辐照 耐磨性 氧化剂 抗紫外线 耐高温性 原料制备 组成单元 氟原子 氢原子 碳原子 波长 等强 键能 乙烯 腐蚀
【说明书】:

发明涉及一种无线充电用聚偏氟乙烯基超薄覆盖膜的制备方法,属于无线充电技术领域。本发明以聚偏氟乙烯为原料,制备无线充电用聚偏氟乙烯基超薄覆盖膜,聚偏氟乙烯的基本组成单元为CH2=CF2,是由两个氟原子取代了乙烯中的两个氢原子而构成的,两个氟原子都偏在同一侧,并且与一个碳原子相结合,由于C‑F键键长短,键能高,所以聚偏氟乙烯具有很好的化学稳定性,室温下不受酸、碱等强氧化剂和卤素的腐蚀,并且聚偏氟乙烯的抗紫外线和耐老化性能优异,对波长200~400nm的紫外线辐照稳定,以聚偏氟乙烯膜为原料制备的覆盖膜具有优良的耐高温性、抗紫外线性、耐磨性和耐冲击强度。

技术领域

本发明涉及一种无线充电用聚偏氟乙烯基超薄覆盖膜的制备方法,属于无线充电技术领域。

背景技术

随着移动电子设备便携式的需求进一步提升,无线充电已经成为如今一些手机厂商发布新机的必备功能。手机里使用的无线充电技术都是一些小功率的电磁感应式原理,首选是无线联盟推出的Qi标准,传输端(即充电底座)通过流过的电流产生磁场,手机Qi模块(相当于接收端)通过电磁感应将磁场转化为电流。那么问题来了,磁场随着离场源越远,磁感应强度会逐渐降低,所以拉开些距离会导致磁场大打折扣,充电速率也会降低。因此为了缩短传输端与接收端的距离,无线充电线圈上用的覆盖膜一般厂家都是使用超薄黑色覆盖膜,目前主流厂家都是使用0305规格的覆盖膜。目前聚酰亚胺(PI)膜厂家在生产7.5mm(3mil)的黑色PI膜主要是在形成PAA后掺杂炭黑一起亚胺化成膜形成的。由于膜太薄,同时加入炭黑后机械性能变差,容易发生断膜现象,导致成品的良品率偏低,5mm(2mil)及其以下大多数都需要负载在一层厚的载体膜上,这样成本以及工艺步骤都会增加。

智能手机无线充电及近场通讯(NFC)功能的普及,无线充电FPC需求出现爆炸式增长。因对充电效率的要求,使无线充电用FPC铜线的厚度(通常60~90μm)和宽度(通常800~1200μm)相比于普通FPC铜线的厚度(通常15~25μm)和宽度(通常50~100μm)要求更厚更宽,在生产线路板压合覆盖膜时,会因铜线的线宽与线间距比太大,普通覆盖膜的胶黏剂流动性较差,致使铜线上的胶黏剂流至铜线间隙后不足以将间隙填满,而普通覆盖膜的厚度较厚、填充性不好、抗刺穿能力差,易使覆盖膜产生空隙A,加热工序中膨胀,使用过程中破裂等不良状况。因此,普通覆盖膜无法满足无线充电FPC的要求,而且,目前国内还没有厂家能生产无线充电用覆盖膜。

发明内容

本发明所要解决的技术问题:针对聚酰亚胺膜太薄,加入炭黑后机械性能变差,容易发生断膜现象,普通覆盖膜的厚度较厚、填充性不好、抗刺穿能力差,易使覆盖膜产生空隙,加热工序中膨胀,使用过程中破裂等不良状况的问题,提供了一种无线充电用聚偏氟乙烯基超薄覆盖膜的制备方法。

为解决上述技术问题,本发明采用的技术方案是:

(1)将聚偏氟乙烯、互穿网络聚合物置于剪切机中,常温下以160~180r/min转速剪切10~15min,得聚合物混合料;

(2)将聚合物混合料加入N,N-二甲基甲酰胺中,常温下以200~240r/min转速搅拌20~30min,得聚合物溶液;

(3)将改性纳米炭黑、聚乙烯醇加入聚合物溶液中,常温下以600~800r/min转速搅拌20~30min,得聚合物悬浮液;

(4)将聚合物悬浮液置于超声分散机中,常温下超声分散40~60min,得纺丝液;

(5)将纺丝液置于静电纺丝装置的注射器中,喷至铝箔收集板上,将铝箔收集板置于50~60℃的烘箱中干燥30~40min,常温冷却,取下薄膜,得无线充电用聚偏氟乙烯基超薄覆盖膜。

所述的聚偏氟乙烯、互穿网络聚合物、改性纳米炭黑、聚乙烯醇、N,N-二甲基甲酰胺的重量份为40~50份聚偏氟乙烯、24~30份互穿网络聚合物、8~10份改性纳米炭黑、12~15份聚乙烯醇、120~150份N,N-二甲基甲酰胺。

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