[发明专利]半导体器件及半导体器件的电容孔制备方法

权利要求书

1.一种半导体器件的电容孔制备方法，其特征在于，包括：

提供半导体基底，所述半导体基底上形成有依次叠设的第一介质层、第一掩膜层、第一图形层、第二介质层、第二掩膜层和第二图形层；所述第一图形层包括分别沿第一方向延伸的多个第一线条，所述第二图形层包括分别沿第二方向延伸的多个第二线条，所述第一线条与所述第二线条的投影围成网格；

在所述第二图形层上形成第三掩膜层，所述第三掩膜层覆盖边缘区域的第二图形层和第二掩膜层并暴露出中间区域的第二图形层和第二掩膜层；

刻蚀所述中间区域暴露的所述第二掩膜层，将所述中间区域的所述第二图形层的图案转移到所述第二掩膜层，直至暴露出所述中间区域的第二介质层；

刻蚀所述中间区域暴露的所述第二介质层，将所述中间区域的第二掩膜层的图案转移到所述中间区域的所述第二介质层，直至暴露出所述中间区域的第一图形层和第一掩膜层；

去除所述第三掩膜层，刻蚀所述中间区域暴露的所述第一掩膜层和所述边缘区域的第二图形层和第二掩膜层，将所述中间区域的所述第二介质层的图案和第一图形层的图案转移到所述第一掩膜层以形成网格，直至暴露出所述中间区域的所述第一介质层，所述第二掩膜层和第一掩膜层的刻蚀选择比大于1；在刻蚀所述中间区域暴露的所述第一掩膜层期间，依次刻蚀所述边缘区域暴露的所述第二图形层和所述第二掩膜层并保留目标厚度的第二掩膜层；

刻蚀所述中间区域暴露的所述第一介质层，形成电容孔。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一掩膜层、第二掩膜层和所述第二图形层均能被第一刻蚀剂刻蚀；

所述在刻蚀所述中间区域暴露的所述第一掩膜层期间，依次刻蚀所述边缘区域暴露的所述第二图形层和所述第二掩膜层并保留目标厚度的第二掩膜层，包括：根据所述第一刻蚀剂对所述第一掩膜层、第二掩膜层和第二图形层的刻蚀选择比设置所述第一掩膜层、第二掩膜层和第二图形层的厚度。

3.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述第一掩膜层的厚度大于所述第二图形层的厚度，且所述第二图形层的厚度大于所述第二掩膜层的厚度。

4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第二掩膜层和所述第二图形层均能被第二刻蚀剂刻蚀，以在利用所述第二刻蚀剂刻蚀所述第二掩膜层期间，刻蚀暴露的所述第二图形层。

5.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述方法还包括：根据所述第二刻蚀剂对所述第二掩膜层和所述第二图形层的刻蚀选择比设置所述第二掩膜层和所述第二图形层的厚度，以在利用所述第二刻蚀剂刻蚀所述第二掩膜层期间，去除暴露的所述第二图形层。

6.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述第一图形层能被所述第一刻蚀剂刻蚀，所述方法还包括：根据所述第一刻蚀剂对所述第一掩膜层和对第一图形层的刻蚀选择比设置所述第一掩膜层和第一图形层的厚度，以在利用所述第一刻蚀剂刻蚀所述中间区域暴露的第一掩膜层期间，去除所述中间区域暴露的所述第一图形层。

7.如权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述第一图形层的厚度大于所述第一掩膜层的厚度。

8.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一掩膜层为富含硅的氮氧化硅，所述第二掩膜层为富含氧的氮氧化硅，所述第一图形层和第二图形层均为氧化硅。

9.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一介质层和所述第二介质层包括相同材质，所述方法还包括：在刻蚀所述中间区域的所述第一介质层的同时，刻蚀所述边缘区域的所述第二介质层。

10.如权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述第一介质层为非晶碳层，且所述第二介质层为旋涂碳层。