[发明专利]基板清洗方法、基板清洗装置、基板处理装置、基板处理系统及机器学习器在审
申请号: | 201910953017.1 | 申请日: | 2019-10-09 |
公开(公告)号: | CN111029243A | 公开(公告)日: | 2020-04-17 |
发明(设计)人: | 嶋昇平 | 申请(专利权)人: | 株式会社荏原制作所 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/67 |
代理公司: | 上海华诚知识产权代理有限公司 31300 | 代理人: | 肖华 |
地址: | 日本国东京都*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 清洗 方法 装置 处理 系统 机器 学习 | ||
1.一种基板清洗方法,其特征在于,
通过一边向基板供给清洗液,一边在存在所述清洗液的情况下使清洗工具与所述基板滑动接触,从而清洗所述基板的表面,
在执行规定张数的所述基板的表面的清洗后,使用原子力显微镜取得表示处于湿润状态的所述清洗工具的表面性状的表面数据,
通过对所述表面数据与预先设定的阈值进行比较,从而决定所述清洗工具的更换时期。
2.根据权利要求1所述的基板清洗方法,其特征在于,
所述表面数据是由所述原子力显微镜取得的所述清洗工具的平均表面粗糙度。
3.根据权利要求1所述的基板清洗方法,其特征在于,
所述表面数据是所述清洗工具的表面的最大高低差,
所述最大高低差是由所述原子力显微镜取得的所述清洗工具的表面粗糙度的最大值与最小值的差分。
4.根据权利要求1所述的基板清洗方法,其特征在于,
所述阈值是附着于所述基板的表面的颗粒的平均直径。
5.根据权利要求1所述的基板清洗方法,其特征在于,
所述表面数据是所述清洗工具的粘弹性。
6.根据权利要求1~5中任一项所述的基板清洗方法,其特征在于,
所述原子力显微镜具备对所述基板的表面进行扫描的探针和安装有所述探针的悬臂,
所述悬臂具有0.1N/m以下的弹簧常数。
7.根据权利要求1~5中任一项所述的基板清洗方法,其特征在于,
所述原子力显微镜具有1μm以下的平面分辨率和300nm以下的垂直分辨率。
8.根据权利要求1~5中任一项所述的基板清洗方法,其特征在于,
对通过机器学习而构建的学习完毕模型输入所述表面数据与所述表面数据的取得时刻的组合,
对所述表面数据与所储存的表面数据进行比较,预测表面数据达到所述阈值的时间,
将预测出的所述时间与所述取得时刻相加,由此决定所述清洗工具的更换时期。
9.一种基板清洗装置,其特征在于,具备:
基板保持机构,该基板保持机构保持基板;
清洗液供给喷嘴,该清洗液供给喷嘴向保持于所述基板保持机构的所述基板供给清洗液;
清洗工具,该清洗工具通过在存在所述清洗液的情况下与所述基板滑动接触来对所述基板进行清洗;
原子力显微镜,该原子力显微镜取得表示所述清洗工具的表面性状的表面数据;以及
控制部,该控制部至少控制所述原子力显微镜的动作,
所述控制部在执行规定张数的所述基板的表面的清洗后,使用原子力显微镜取得表示处于湿润状态的所述清洗工具的表面性状的至少一个表面数据,
所述控制部通过对所述表面数据与预先设定的阈值进行比较,从而决定所述清洗工具的更换时期。
10.根据权利要求9所述的基板清洗装置,其特征在于,
所述表面数据是由所述原子力显微镜取得的所述清洗工具的平均表面粗糙度。
11.根据权利要求9所述的基板清洗装置,其特征在于,
所述表面数据是所述清洗工具的表面的最大高低差,
所述最大高低差是由所述原子力显微镜取得的所述清洗工具的表面粗糙度的最大值与最小值的差分。
12.根据权利要求9所述的基板清洗装置,其特征在于,
所述阈值是附着于所述基板的表面的颗粒的平均直径。
13.根据权利要求9所述的基板清洗装置,其特征在于,
所述表面数据是所述清洗工具的粘弹性。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造