[发明专利]层叠线圈部件

说明书

本发明提供能够抑制杂散电容、高频特性良好且能够得到高阻抗的高频设备用途适用的层叠线圈部件。层叠线圈部件具备：内部导体(1)、内置了内部导体(1)的部件本体(2)、以及在部件本体(2)两端部形成的外部导体(3a、3b)。部件本体具有：主成分由磁性体材料形成并也可以包含非磁性体材料的第1区域(8)、和在第1区域(8)的两端部形成的至少含有非磁性体材料的第2区域(9a、9b)，第2区域(9a、9b)形成为，与第1区域(8)相比，非磁性体材料的体积含量相对多，例如体积含量之差为25vol％以上。内部导体(1)的线圈部(4)埋设于第1区域(8)内，第2区域(9a、9b)为外部导体(3a、3b)的侧面折回部(7a、7b)的长度B以上。

技术领域

本发明涉及层叠线圈部件，更详细而言，涉及部件本体包含磁性体材料和非磁性体材料的高频设备用途所适用的层叠电感器等层叠线圈部件。

背景技术

近年来，在移动电话等各种通信设备中频带的高频化发展，作为用于除去这种高频带的噪声信号的设备，广泛使用层叠线圈部件。

在这种层叠线圈部件中，为了获得良好的高频特性，得到高阻抗Z较为重要，但高频带的阻抗Z受到形成线圈的内部导体的对置电极间的杂散电容的影响。因此，为了得到所希望的高阻抗，需要减少杂散电容，因此以往就开始积极研究、开发欲抑制杂散电容的层叠线圈部件用的铁氧体材料。

例如，专利文献1提出有复合铁氧体组成物，其为含有磁性体材料和非磁性体材料的复合铁氧体组成物，上述磁性体材料与上述非磁性体材料之混合比率为20wt％：80wt％～80wt％：20wt％，上述磁性体材料为Ni-Cu-Zn系铁氧体，上述非磁性体材料的主成分至少含有Zn、Cu和Si的氧化物，上述非磁性体材料的辅助成分含有硼硅酸盐玻璃。

在该专利文献1中，使用将由Ni-Cu-Zn系铁氧体材料构成的磁性体材料和以通式a(bZnO·cMgO·dCuO)·SiO₂(其中，a＝1.5～2.4，b＝0.2～0.98，d＝0.02～0.15，b+c+d＝1.00)表示的非磁性体材料以规定的混合比率调制而成的复合铁氧体组成物，通过该复合铁氧体组成物形成陶瓷层，在该陶瓷层埋设内部导体，由此得到层叠线圈部件(复合电子部件)。

在该专利文献1中，欲通过由上述的复合铁氧体组成物形成陶瓷层，从而使陶瓷层低介电常数化，提高烧结性并且欲抑制在内部导体的对置电极间产生的杂散电容。

专利文献1：日本特开2014-220469号公报(权利要求1，段落[0016]～[0021]等)

然而，在专利文献1中，由磁性体材料和非磁性体材料的复合材料形成陶瓷层，因此能够减少杂散电容，但存在导致透磁率的降低使阻抗Z降低，无法确保具有所希望的高阻抗的良好的高频特性之虞。

另外，上述的杂散电容不仅产生于内部导体的对置电极间，也在内部导体与外部导体之间产生。认为在这种情况下，即便在仅由磁性体材料形成了部件本体的情况下，也能够通过使内部导体与外部导体之距离增大而减少杂散电容，但这与层叠线圈部件的小型化的要求相违背。

发明内容

本发明是鉴于这样的状况而完成的，目的在于提供能够抑制杂散电容、高频特性良好且能够得到高阻抗的高频设备用途所适用的层叠线圈部件。

本发明人为了实现上述目的进行了认真研究后，得到以下见解，通过将部件本体区分为主成分由磁性体材料形成并且也可以含有非磁性体材料的第1区域和至少含有非磁性体材料的第2区域，将第2区域形成于第1区域的两端并且使第2区域所含的非磁性体材料的换算为体积比率的含量(以下，称为“体积含量”)比第1区域多，从而能够抑制产生于外部导体与内部导体之间的杂散电容，由此能够以可满足实用的程度减少杂散电容并且能够抑制透磁率的降低而能够确保大电感，进而能够得到高频特性良好且具有高阻抗Z的层叠线圈部件。