[发明专利]硅基调制深度可调双级联调制器及其微波光子链路高线性方法

权利要求书

1.一种硅基调制深度可调双级联调制器，其特征在于包括：一个基于载流子耗尽型的硅基MZM1、一个基于载流子耗尽型的硅基MZM2和一个TROPS；且所述的TROPS级联在MZM1和MZM2之间，通过改变TROPS的分配比γ控制MZM2的调制深度；所述的MZM1和MZM2均包含上下两个等长的PN结调制臂和用来调控偏置工作点的热电极，所述的MZM1、MZM2和TROPS基于直接耦合器DC或者多模耦合干涉仪MMI构成。

2.根据权利要求1所述的硅基调制深度可调双级联调制器，其特征在于所述的TROPS为马赫曾德尔干涉结构，通过热光效应或电光效应调控。

3.一种基于权利要求1所述的硅基调制深度可调双级联调制器的微波光子链路高线性方法，其特征在于包括如下步骤：

1)单波长激光器输出光信号通过光纤耦合器耦合到MZM1上，双音调制小信号经过功率分配比为50/50的EPS同时加载在MZM1和MZM2上；

2)调控MZM1和MZM2的反向偏置电压V_DC1和V_DC2使其工作在PN结反偏区，同时调整MZM1和MZM2的热电极HTR1和HTR2，使MZM1和MZM2分别工作在π/2和-π/2偏置点；此时，MZM1和MZM2都工作在一阶谐波最大值，则微波链路中一阶谐波信号最大，而经过DSMZMs被双音调制小信号调制产生的IMD3信号并未达到最小值；

3)调节TROPS上下臂的光相位差来调控MZM2上下臂的光功率的分配比γ，从而控制MZM2的调制深度；并在FH大于IMD3的前提下，记录FH/IMD3的功率差ΔP，单位为dB；

4)在PN结调制臂工作在反偏区以及MZM1和MZM2工作在π/2和-π/2偏置点的基础上，循环步骤2)和3)，在不同V_DC1和V_DC2下，调控TROPS的分配比γ，直到使得ΔP达到最大，从而实现了基于硅基调制器的高线性微波光子链路。